[发明专利]用于移除半导体基材上残余物的清洁制剂在审
| 申请号： | 201780062080.5 | 申请日： | 2017-10-05 |
| 公开（公告）号： | CN109790028A | 公开（公告）日： | 2019-05-21 |
| 发明（设计）人： | 朴起永;E·A·克内尔;T·多瑞;高桥智威 | 申请（专利权）人： | 富士胶片电子材料美国有限公司 |
| 主分类号： | C01B21/14 | 分类号： | C01B21/14;C11D3/30;C11D7/50 |
| 代理公司： | 北京博思佳知识产权代理有限公司 11415 | 代理人： | 林祥 |
| 地址： | 美国罗*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体基材 清洁组合物 氧化还原剂 清洁制剂 水溶性醇 水溶性醚 水溶性酮 水溶性酯 有机溶剂 残余物 移除 添加剂 金属 自由 | ||
1.一种清洁组合物，包括：
1)至少一种氧化还原剂；
2)至少一种有机溶剂，其选自由水溶性醇、水溶性酮、水溶性酯及水溶性醚所组成的组；
3)至少一种含金属的添加剂；及
4)水。
2.如权利要求1所述的组合物，其中，所述组合物具有约7至约11的pH。
3.如权利要求1所述的组合物，其中，所述至少一种氧化还原剂包括羟胺。
4.如权利要求1所述的组合物，其中，所述至少一种氧化还原剂为所述组合物的约5重量％至约20重量％。
5.如权利要求1所述的组合物，其中，所述至少一种有机溶剂包含两种有机溶剂。
6.如权利要求5所述的组合物，其中，所述两种有机溶剂各自独立地选自由烷撑二醇及烷撑二醇醚所组成的组。
7.如权利要求1所述的组合物，其中，所述至少一种有机溶剂为所述组合物的约60重量％至约95重量％。
8.如权利要求1所述的组合物，其中，所述至少一种含金属的添加剂包括金属卤化物、金属氢氧化物、金属硼化物、金属烷氧化物、金属氧化物或含金属的铵盐。
9.如权利要求1所述的组合物，其中，所述至少一种含金属的添加剂包括2A族金属、3B族金属、4B族金属、5B族金属或镧系金属。
10.如权利要求9所述的组合物，其中，所述至少一种含金属的添加剂包括Ca、Ba、Ti、Hf、Sr、La、Ce、W、V、Nb或Ta。
11.如权利要求1所述的组合物，其中，所述至少一种含金属的添加剂包括硼化钨、Ca(OH)2、BaCl2、SrCl2、LaCl3、CeCl3、(NH4)2TiF6、BaTiO3、Ti(OEt)4、Ti(OCH(CH3)2)4、HfO2、V2O5、Nb2O5或TaF3。
12.如权利要求1所述的组合物，其中，所述至少一种含金属的添加剂为所述组合物的约0.001重量％至约0.5重量％。
13.如权利要求1所述的组合物，其中，所述水为所述组合物的约5％至约28％。
14.如权利要求1所述的组合物，还包括pH调节剂。
15.如权利要求14所述的组合物，其中，所述pH调节剂为1,8-二氮杂二环[5.4.0]-7-十一碳烯。
16.如权利要求1所述的组合物，还包括至少一种清洁添加剂。
17.如权利要求16所述的组合物，其中，所述至少一种清洁添加剂为含硫的添加剂。
18.如权利要求17所述的组合物，其中，所述含硫的添加剂包括硫醇或硫醚。
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