[发明专利]保护开关器

说明书

低压保护开关器(1)具有外部导体段(2)和中性导体段(5)，其中，在外部导体段(2)中设置有机械式旁路开关(8)，低压保护开关器(1)的第一半导体电路装置(11)并联于旁路开关(8)，在外部导体段(2)中设置有电流测量装置(12)，该电流测量装置与低压保护开关器(1)的电子控制单元(13)连接，电子控制单元(13)构成为用于在通过电流测量装置(12)检测到可预定的过电流、尤其是短路电流时操控旁路开关(8)和第一半导体电路装置(11)，在所述低压保护开关器中建议，所述缓冲器具有电容器以及在电路技术上与电容器并联设置的电阻。

技术领域

本发明涉及一种按照权利要求1前序部分所述的低压保护开关器。

背景技术

由本申请人的WO2015/028634A1已知一种相应的保护开关器。在用于断开短路并且按照WO2015/028634A1具有一个整流桥和两个IGBT的半导体电路装置上还连接有缓冲器、即衰减器。缓冲器用于保护IGBT并且由电阻和与该电阻串联连接的电容器构成，其中，电阻被二极管桥接。

已得到证明的是，缓冲器的二极管在切断短路的情况下明显增大对IGBT的压力。这基于在此均涉及双极装置的情况。IGBT以及二极管因此必须这样选择或者说确定尺寸，使得它们符合在短路时高的要求。这导致增大相应部件的结构尺寸，以及由于路径的延长也导致回路电感和切断时间增大。

发明内容

因此，本发明的目的在于，给出开头所述类型的保护开关器，利用该保护开关器可以避免所提到的缺点，该保护开关器具有小的结构尺寸并且该保护开关器在长的时间上具有高的可靠性。

按照本发明，这通过权利要求1的特征实现。

由此可以简化低压保护开关器的构造。由此可以放弃具有很大结构尺寸的构件。在此已得到证明的是，通过放弃二极管可以延长IGBT的使用寿命或者说可以使用可承载能力较低的IGBT。由于在一个保护开关器的两次开关过程之间的长的、按照标准为三分钟的持续时间，没有负面效果由于放弃二极管而对低压保护开关器或半导体电路装置产生。通过放弃二极管，低压保护开关器变得更紧凑、成本更低并且更耐久。

从属权利要求涉及本发明的进一步有利的技术方案。

对此，明确地参照权利要求书的原文，从而权利要求书在此处通过援引加入到说明书中并且被认为是字面再现。

附图说明

参照附图更详细地描述本发明，在这些附图中仅仅示例性地示出优选的实施方式。其中：

图1示出一种按照现有技术的保护开关器的示意图；和

图2示出按照本发明的优选实施方式的低压保护开关器的一部分。

具体实施方式

图2示出一个低压保护开关器1，该低压保护开关器具有从低压保护开关器1的外部导体供给接头3至低压保护开关器1的外部导体负载接头4的至少一个外部导体段2和从低压保护开关器1的中性导体接头6至低压保护开关器1的中性导体负载接头7的中性导体段5，其中，在外部导体段2中串联地设置有机械式旁路开关8和第一机械式断路开关9，在中性导体段5中设置有第二机械式断路开关10，低压保护开关器1的半导体电路装置11并联于旁路开关8，在外部导体段2中设置有第一电流测量装置12、尤其是包括分流电阻的电流测量装置，该第一电流测量装置与保护开关器1的电子控制单元13连接，电子控制单元13构成为用于在通过电流测量装置12检测到可预定的过电流、尤其是短路电流时操控旁路开关8、第一机械式断路开关9、第二机械式断路开关10和半导体电路装置11，其中，在电路技术上与半导体电路装置11并联设置有缓冲器24，缓冲器24具有电容器35以及在电路技术上与电容器35并联设置的电阻36。