[发明专利]用于监视工艺设备的方法和设备

权利要求书

1.一种衬底，包括：

衬底层；以及

在所述衬底层上的可蚀刻层，所述可蚀刻层包括在其上或在其中的图案化区域，并且所述可蚀刻层包括尺寸足以使得能够确定蚀刻工具的体蚀刻率的空白区域。

2.根据权利要求1所述的衬底，还包括在所述可蚀刻层上的抗蚀剂层，所述抗蚀剂层包括所述图案化区域。

3.根据权利要求2所述的衬底，其中所述图案化区域包括待使用所述蚀刻工具从所述抗蚀剂层转印到所述可蚀刻层的图案。

4.根据权利要求2所述的衬底，其中所述抗蚀剂层包括用于将所述空白区域暴露于所述蚀刻工具的蚀刻剂的开口区域，所述开口区域的尺寸足以使得能够确定用于蚀刻所述空白区域的所述蚀刻工具的蚀刻率。

5.根据权利要求1所述的衬底，其中所述空白区域在平行于所述衬底层的伸长方向的方向上的尺寸为至少1毫米。

6.一种方法，包括：

提供衬底，所述衬底包括衬底层和在所述衬底层上的可蚀刻层，所述可蚀刻层具有在其上或在其中的第一图案化区域；

利用蚀刻工具蚀刻所述图案化区域的至少一部分，以在所述可蚀刻层中形成第二图案化区域；

评估所述第二图案化区域的特性，其中所述评估包括确定所述第二图案化区域的所评估的特性的值与所述特性的目标值之间的偏差；以及

通过硬件计算机系统基于所述偏差来产生和输出用于调节所述蚀刻工具和/或调节在所述蚀刻工具上游或下游的处理设备的修改信息。

7.根据权利要求6所述的方法，其中在所述蚀刻工具上游或下游的所述处理设备包括选自以下项中的一个或多个项：沉积工具、另一蚀刻工具、轨道工具、化学机械平坦化(CMP)工具和/或光刻工具。

8.根据权利要求7所述的方法，其中所述修改信息被用于修改所述蚀刻工具和/或在所述蚀刻工具上游或下游的另一处理设备的变量，并且其中所述变量包括沉积工具的沉积变量、轨道的轨道变量、光刻设备的光刻变量、另一蚀刻工具的蚀刻变量和/或CMP工具的平坦化变量。

9.根据权利要求8所述的方法，其中所述变量包括所述轨道的所述轨道变量，所述轨道变量包括所述轨道的烘烤工具的烘烤温度或所述轨道的显影工具的显影变量。

10.根据权利要求8所述的方法，其中所述变量包括所述光刻设备的光刻变量，所述光刻变量包括剂量或焦点。

11.根据权利要求8所述的方法，其中所述变量包括所述蚀刻工具的蚀刻变量，所述蚀刻变量包括所述蚀刻工具的蚀刻类型或所述蚀刻工具的蚀刻率。

12.根据权利要求6所述的方法，其中所述评估包括确定所评估的图案的特性的值跨所述衬底的空间分布，或者确定所评估的图案的特性的值与所述特性的目标值之间的偏差跨所述衬底的空间分布。

13.根据权利要求6所述的方法，其中所述第二图案化区域的特性包括选自以下项中的一个或多个项：临界尺寸、套刻、侧壁角度、底面倾斜、图案特征高度、层厚度、图案偏移、几何不对称和/或一个或多个其他几何参数。

14.一种非瞬态计算机程序产品，包括用于引起处理器系统引起根据权利要求6所述的方法的执行的机器可读指令。

15.一种系统，包括：

硬件处理器系统；以及

非瞬态计算机可读存储介质，被配置为存储机器可读指令，其中所述机器可读指令在被执行时引起所述硬件处理器系统执行根据权利要求6所述的方法。