[发明专利]太阳能电池及太阳能电池的制造方法有效

专利信息
申请号: 201780052889.X 申请日: 2017-08-31
公开(公告)号: CN109643764B 公开(公告)日: 2023-04-04
发明(设计)人: 荒浪顺次 申请(专利权)人: 京瓷株式会社
主分类号: H10K30/10 分类号: H10K30/10;H10K30/82;H10K39/18;H10K85/50
代理公司: 中科专利商标代理有限责任公司 11021 代理人: 樊建中
地址: 日本*** 国省代码: 暂无信息
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要:
搜索关键词: 太阳能电池 制造 方法
【权利要求书】:

1.一种太阳能电池,具备:

多个太阳能电池元件,包括沿着第一方向平面地排列且相邻的第一太阳能电池元件及第二太阳能电池元件;

连接部,对所述第一太阳能电池元件与所述第二太阳能电池元件进行电连接;和

透明部,位于所述连接部与所述第二太阳能电池元件之间,

各所述太阳能电池元件具有第一电极层、第二电极层以及位于所述第一电极层与所述第二电极层之间的第一半导体层,

所述第一太阳能电池元件的所述第一电极层和所述第二太阳能电池元件的所述第一电极层夹着第一间隙而排列,

所述第一太阳能电池元件的所述第二电极层和所述第二太阳能电池元件的所述第二电极层夹着第二间隙而排列,

所述第二间隙存在于比所述第一间隙更向所述第一方向偏离的位置,

所述连接部对所述第一太阳能电池元件的所述第二电极层和所述第二太阳能电池元件的所述第一电极层进行电连接,

在所述第一太阳能电池元件的所述第二电极层和所述第二太阳能电池元件的所述第一电极层之间,所述透明部存在于比所述连接部更向所述第一方向偏离的位置,且所述透明部的透光性高于所述第一半导体层,

所述第一电极层及所述第二电极层之中的至少一方的电极层的透光性高于所述第一半导体层,

所述透明部与所述第二太阳能电池元件的所述第一半导体层隔着所述第二间隙排列,

所述透明部包含第二半导体层,该第二半导体层的元素的键合构造和所述第一半导体层不同,

所述第一半导体层与所述第二半导体层包含相同的半导体材料,

隔着所述第二间隙,所述第一太阳能电池元件的所述第二半导体层和所述第二太阳能电池元件的所述第一半导体层在所述第一方向上相对。

2.根据权利要求1所述的太阳能电池,其中,

所述太阳能电池具备具有透光性的基板,

在所述基板上沿着该基板的表面排列所述多个太阳能电池元件,

所述第一电极层位于比所述第二电极层更靠所述基板的附近的位置且透光性高于所述第一半导体层。

3.根据权利要求1所述的太阳能电池,其中,

所述太阳能电池具备基板,

在所述基板上沿着该基板的表面排列所述多个太阳能电池元件,

所述第一电极层位于比所述第二电极层更靠所述基板的附近的位置,

所述第二电极层的透光性高于所述第一半导体层。

4.根据权利要求1~3中任一项所述的太阳能电池,其中,

所述第一电极层及所述第二电极层各自的透光性高于所述第一半导体层,

所述太阳能电池在穿过夹着所述透明部而存在的所述第一电极层的一部分和所述第二电极层的一部分的虚拟的直线上,具备与所述多个太阳能电池元件不同的一种以上的太阳能电池元件。

5.根据权利要求1~3中任一项所述的太阳能电池,其中,

所述太阳能电池在穿过夹着所述透明部而存在的所述第一电极层的一部分和所述第二电极层的一部分的虚拟的直线上,具备能反射透过所述透明部的光的反射部。

6.根据权利要求1~3中任一项所述的太阳能电池,其中,

所述第一电极层及所述第二电极层之中的任意一方的电极层包括能反射透过所述透明部的光的金属电极层。

7.一种太阳能电池的制造方法,包括以下步骤:

准备基板;

在所述基板的表面上形成沿着第一方向平面地排列的第一层的第一电极层和第二层的第一电极层;

在所述第一层的第一电极层及所述第二层的第一电极层上形成钙钛矿太阳能电池用的半导体区域;

形成连接部和电极层,该连接部位于所述半导体区域之中沿着所述第一方向平面地排列的第一层的半导体层与第二层的半导体层之间的间隙中且处于与所述第二层的第一电极层电连接的状态,该电极层位于所述第一层的半导体层上及所述第二层的半导体层上且处于与所述连接部电连接的状态;

在形成所述半导体区域之后且形成所述连接部及所述电极层之后,在比所述第一层的第一电极层与所述第二层的第一电极层之间的第一间隙更向所述第一方向偏离的位置形成第二间隙,该第二间隙处于将所述电极层分离为沿着所述第一方向排列的第一层的第二电极层和第二层的第二电极层的状态,且处于将所述第二层的半导体层之中的位于所述第二层的第一电极层上的区域分离为沿着所述第一方向排列的一部分和剩余部分的状态;

在形成所述第二间隙之后,通过加热所述一部分,从而提高该一部分的透光性。

下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于京瓷株式会社,未经京瓷株式会社许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201780052889.X/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。

同类专利
专利分类
×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top