[发明专利]光电容积描记传感器构造在审
申请号: | 201780052611.2 | 申请日: | 2017-06-29 |
公开(公告)号: | CN109640794A | 公开(公告)日: | 2019-04-16 |
发明(设计)人: | 埃利亚斯·佩科宁;塞波·科尔卡拉 | 申请(专利权)人: | 博能电子公司 |
主分类号: | A61B5/00 | 分类号: | A61B5/00;A61B5/1455;A61B5/024;A61B5/0205 |
代理公司: | 北京超凡志成知识产权代理事务所(普通合伙) 11371 | 代理人: | 王晖;李丙林 |
地址: | 芬兰*** | 国省代码: | 芬兰;FI |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 光学发射器 光电容积描记 光电传感器 第二测量 传感器构造 传感器设备 表面延伸 测量通道 第一测量 空间构造 文件公开 限定表面 发射 辐射 假想线 线对称 壳体 子组 捕获 测量 | ||
1.一种光电容积描记传感器设备,包括:
限定表面的壳体;
多个光学发射器,被构造为发射从所述表面延伸的辐射;
至少一个光电传感器,被构造为捕获由所述多个光学发射器的至少一个子组发射的辐射,
其中,至少第一测量构造和第二构造由所述多个光学发射器和所述至少一个光电传感器限定,使得所述第一测量构造和所述第二测量构造通过包括至少一个光电传感器和至少一个光学发射器的至少部分不同组来提供不同的测量通道,并且所述第一测量构造和第二测量构造限定不同的空间构造,所述不同的空间构造中的每个相对于沿所述表面的假想线是线对称的。
2.根据权利要求1所述的光电容积描记传感器设备,其中,所述第一测量构造和所述第二测量构造相对于相同的假想线是线对称的。
3.根据权利要求1所述的光电容积描记传感器设备,其中,所述第一测量构造和所述第二测量构造相对于不同的假想线是线对称的。
4.根据任一前述权利要求所述的光电容积描记传感器设备,其中,所述第一测量构造和第二测量构造在空间上相隔开使得它们提供相互正交的测量通道。
5.根据任一前述权利要求所述的光电容积描记传感器设备,其中,所述第一测量构造和第二测量构造被构造为执行相对于彼此复用的测量,其中所述复用提供于不同的测量通道。
6.根据权利要求5所述的光电容积描记传感器设备,其中,所述第一测量构造的至少一个光学发射器被构造为发射具有与由所述第二测量构造的至少一个光学发射器发射的辐射的波长不同的波长的辐射。
7.根据权利要求5所述的光电容积描记传感器设备,其中,所述第一测量构造的至少一个光学发射器的发射与所述第二测量构造的至少一个光学发射器的发射是时间复用的。
8.根据任一前述权利要求所述的光电容积描记传感器设备,其中,所述第一测量构造由第一光电传感器和围绕所述第一光电传感器对称设置的多个光学发射器组成,并且其中所述第二测量构造由与所述第一光电传感器不同的第二光电传感器和围绕所述第二光电传感器对称设置的多个光学发射器组成。
9.根据前述权利要求1-7中任一项所述的光电容积描记传感器设备,其中,所述第一测量构造由第一光电传感器和围绕所述第一光电传感器对称设置的第一组光学发射器组成,并且其中所述第二测量构造由所述第一光电传感器和围绕所述第二光电传感器对称设置的第二组光学发射器组成,其中所述第一组光学发射器和所述第二组光学发射器限定不同组的光学发射器。
10.根据任一前述权利要求所述的光电容积描记传感器设备,包括多个光电传感器,其中所述多个光电传感器沿所述表面上的假想环形物以与所述多个光学发射器交替的方式布置。
11.根据权利要求10所述的光电容积描记传感器设备,其中,所述第一测量构造由第一光学发射器和沿所述环形物相对于所述第一光学发射器相邻的光电传感器组成,并且其中所述第二测量构造由不同于所述第一光学发射器的第二光学发射器和沿所述环形物相对于所述第二光学发射器相邻的光电传感器组成。
12.根据权利要求11所述的光电容积描记传感器设备,其中,所述第一测量构造的光电传感器与所述第二测量构造的光电传感器相同。
13.根据权利要求11或12所述的光电容积描记传感器设备,其中,所述第一测量构造提供多个不同的测量通道,一个测量通道从所述第一光学发射器到所述第一测量构造的所述光电传感器中的每个,并且其中所述第二测量构造提供多个不同的测量通道,一个测量通道从所述第二光学发射器到所述第二测量构造的所述光电传感器中的每个。
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