[发明专利]扫描天线有效
申请号: | 201780052371.6 | 申请日: | 2017-08-24 |
公开(公告)号: | CN109643849B | 公开(公告)日: | 2021-03-09 |
发明(设计)人: | 浅木大明;三宅敢 | 申请(专利权)人: | 夏普株式会社 |
主分类号: | H01Q3/34 | 分类号: | H01Q3/34;G02F1/13;G02F1/1337;G02F1/1341;G02F1/1368;H01L29/786;H01Q3/44;H01Q13/22;H01Q21/06 |
代理公司: | 深圳市赛恩倍吉知识产权代理有限公司 44334 | 代理人: | 汪飞亚;习冬梅 |
地址: | 日本国大*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 扫描 天线 | ||
1.一种扫描天线,其排列有多个天线单元,其特征在于,具有:
TFT基板,其具有第一电介质基板、由所述第一电介质基板支承的多个TFT、多个栅极总线、多个源极总线、多个贴片电极、以及覆盖所述多个贴片电极的第一取向膜;
缝隙基板,其具有第二电介质基板、形成在所述第二电介质基板的第一主面上的缝隙电极、以及覆盖所述缝隙电极的第二取向膜;
液晶层,其设置在所述TFT基板与所述缝隙基板之间;
密封部,其包围所述液晶层;以及
反射导电板,其以隔着电介质层与所述第二电介质基板的同所述第一主面相反一侧的第二主面对置的方式配置,
所述缝隙电极具有与所述多个贴片电极对应配置的多个缝隙,
所述第一取向膜及所述第二取向膜分别规定所述液晶层所包含的液晶分子的取向方位,
所述密封部包含划定至少一个注入口的主密封部,
关于所述至少一个注入口,
将在所述至少一个注入口中与所述主密封部的密封图案正交的方向中的从所述至少一个注入口朝向所述液晶层的方向设为流动方向,
并将所述液晶层中的、接近于所述至少一个注入口的区域、且是包含从所述至少一个注入口沿所述流动方向延伸的区域的区域设为第一区域时,
在所述第一区域中由所述第一取向膜规定的取向方位及在所述第一区域中由所述第二取向膜规定的取向方位分别与所述流动方向所成的角均为20°以下或均为160°以上。
2.根据权利要求1所述的扫描天线,其特征在于,
在所述第一区域中由所述第一取向膜规定的取向方位及在所述第一区域中由所述第二取向膜规定的取向方位分别与所述流动方向大致平行。
3.根据权利要求1或2所述的扫描天线,其特征在于,
在所述第一区域中由所述第一取向膜规定的取向方位与在所述第一区域中由所述第二取向膜规定的取向方位大致平行。
4.根据权利要求1或2所述的扫描天线,其特征在于,
所述至少一个注入口包含所述流动方向相互大致平行的多个注入口。
5.根据权利要求1或2所述的扫描天线,其特征在于,
关于所述至少一个注入口,
将所述液晶层中的、比所述第一区域远离所述至少一个注入口的区域、且是邻接于所述第一区域的区域设为第二区域时,
所述至少一个注入口包含在所述第一区域中由所述第一取向膜规定的取向方位与在所述第二区域中由所述第一取向膜规定的取向方位成超过0°的角的注入口。
6.根据权利要求5所述的扫描天线,其特征在于,
所述至少一个注入口包含在所述第一区域中由所述第一取向膜规定的取向方位与在所述第二区域中由所述第一取向膜规定的取向方位所成的角为20°以上的注入口。
7.根据权利要求1或2所述的扫描天线,其特征在于,
所述第一取向膜及所述第二取向膜分别是进行了摩擦处理的取向膜。
8.根据权利要求1或2所述的扫描天线,其特征在于,
所述第一取向膜及所述第二取向膜分别是光取向膜。
9.根据权利要求1或2所述的扫描天线,其特征在于,
由所述第一取向膜规定的预倾角及由所述第二取向膜规定的预倾角均为10°以下。
10.根据权利要求8所述的扫描天线,其特征在于,
由所述第一取向膜规定的预倾角及由所述第二取向膜规定的预倾角均为0°。
11.根据权利要求1或2所述的扫描天线,其特征在于,
所述密封部具有包含四个以上顶点的多边形或圆形的平面形状。
12.根据权利要求1或2所述的扫描天线,其特征在于,
所述多个贴片电极和/或所述缝隙电极含有Cu。
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