[发明专利]薄膜状无机氧化物的制造方法

权利要求书

1.一种薄膜状无机氧化物的制造方法，其中，

具有使第一液和第二液进行接触的步骤，

该第一液含有无机氧化物前体，所述无机氧化物前体包含金属醇盐，

该第二液含有与所述第一液的所述无机氧化物前体进行反应而形成由所述无机氧化物前体衍生的无机氧化物的物质即水，并且，

以连续操作进行所述步骤，

所述连续操作是指，在使第一液和第二液进行接触的无机氧化物形成步骤中，使第一液和第二液连续或间歇地持续接触，并持续回收作为其反应生成物的薄膜状无机氧化物的操作，

在使所述第一液和第二液双方流动时，所述第一液和第二液进行接触时的所述第一液的线速度相对于所述第二液的线速度的比率为0.01以上且60以下，

且所述第一液及第二液中的至少一方含有离子性液体。

2.如权利要求1所述的薄膜状无机氧化物的制造方法，其中，

所述薄膜状无机氧化物的平均厚度为0.01μm以上且1.5μm以下。

3.如权利要求1所述的薄膜状无机氧化物的制造方法，其中，

所述薄膜状无机氧化物包含薄膜状氧化钛。

4.如权利要求1～3中的任一项所述的薄膜状无机氧化物的制造方法，其中，

所述第一液和第二液是相分离的。

5.如权利要求1～3中的任一项所述的薄膜状无机氧化物的制造方法，其中，

所述离子性液体包含铵阳离子。

6.如权利要求1～3中的任一项所述的薄膜状无机氧化物的制造方法，其中，

所述离子性液体是包含1-烷基-3-甲基咪唑鎓阳离子的离子性液体。

7.如权利要求1～3中的任一项所述的薄膜状无机氧化物的制造方法，其中，

所述离子性液体包含1-甲基-3-甲基咪唑鎓阳离子、1-乙基-3-甲基咪唑鎓阳离子、1-丙基-3-甲基咪唑鎓阳离子、或1-丁基-3-甲基咪唑鎓阳离子。

8.如权利要求1～3中的任一项所述的薄膜状无机氧化物的制造方法，其中，

所述无机氧化物前体包含钛醇盐或锆醇盐。

9.如权利要求8所述的薄膜状无机氧化物的制造方法，其中，

所述钛醇盐包含正钛酸四乙酯、正钛酸四异丙酯或正钛酸四正丁酯。

10.如权利要求1～3中的任一项所述的薄膜状无机氧化物的制造方法，其中，

所述第一液中的所述无机氧化物前体的含量为1质量％以上且80质量％以下。

11.如权利要求1～3中的任一项所述的薄膜状无机氧化物的制造方法，其中，

所述第一液中的所述无机氧化物前体的含量为5质量％以上且70质量％以下。

12.如权利要求1～3中的任一项所述的薄膜状无机氧化物的制造方法，其中，

所述第二液中的形成所述无机氧化物的物质的含量为0.1质量％以上且70质量％以下。

13.如权利要求1～3中的任一项所述的薄膜状无机氧化物的制造方法，其中，

所述第二液中的形成所述无机氧化物的物质的含量为0.5质量％以上且30质量％以下。

14.如权利要求1～3中的任一项所述的薄膜状无机氧化物的制造方法，其中，

所述第二液是在所述离子性液体中溶解有形成所述无机氧化物的物质的溶液。

15.如权利要求1～3中的任一项所述的薄膜状无机氧化物的制造方法，其中，

所述第一液是在有机溶剂中溶解有所述无机氧化物前体的溶液。