[发明专利]摄像元件用光电转换元件用材料及含有该材料的光电转换元件

说明书

本发明涉及一种包含下述式(1)表示的化合物的摄像元件用光电转换元件用材料(式(1)中，R₁及R₂独立表示取代或未取代的杂环缩合芳香族基团)。该材料可提供防止空穴或电子泄漏的特性、空穴或电子传输特性、对制程温度的耐热性及可见光透明性等优异的光电转换元件。

技术领域

本发明涉及一种可使用在光电转换元件、摄像元件、光传感器及有机半导体装置等的新颖的缩合多环芳香族化合物。

背景技术

近年来，对有机电子装置的关注日益增加。其特征可列举如：具有可挠性，且可大型化，以及在电子装置制造制程中可利用低价高速的印刷方法。在代表性的有机电子装置方面，可列举如：有机EL元件、有机太阳能电池元件、有机光电转换元件及有机晶体管元件等。尤其，具备有机EL元件的平板显示器作为下一代显示器用途的主要目标而受到期待，并且以应用在移动电话的显示器、TV等进一步的高功能化为目的而持续进行开发。有机太阳能电池元件等可作为可挠性且廉价的能源使用，而有机晶体管元件等，则正在研究开发有关具有有机晶体管元件的可挠显示器和廉价的IC。

有机电子装置的开发中，构成该装置的材料的开发极为重要。因此，对于在各领域中为数众多的材料进行研究，但由于传统的材料称不上具有充分的性能，因此至今仍在积极地开发对各种装置有用的材料。其中，也开发以苯并噻吩并苯并噻吩等作为基本骨架的化合物来作为有机电子材料(专利文献1至3)，苯并噻吩并苯并噻吩的烷基衍生物，虽然具有在印刷制程中形成半导体薄膜所需的充分的溶剂溶解度，但会有因为对烷基链长的缩环数相对较少而容易在低温中引起相转移，有机电子装置的耐热性差的问题。

而且，有数个集团报道称近年来在有机电子元件中期望有机光电转换元件发展为下一代的摄像元件。例如：将喹吖酮衍生物、或喹唑啉衍生物使用在光电转换元件中(专利文献4)、将使用有喹吖酮衍生物的光电转换元件应用于摄像元件(专利文献5)、使用二酮吡咯并吡咯衍生物(专利文献6)。一般而言，摄像元件以高对比化、省电化为目的，认为可通过降低暗电流而提高性能。于是，为了减少从黑暗的光电转换部的漏电流，而使用在光电转换部与电极部之间插入空穴阻挡层、或电子阻挡层的手法。

空穴阻挡层及电子阻挡层，一般广泛地使用在有机电子装置的领域，在构成装置的层压膜中，分别被配置在电极或具有导电性的膜与其之外的膜的界面，是具有控制空穴或电子的反向移动功能的膜。空穴阻挡层及电子阻挡层调整非必须的空穴或电子的泄漏，可依装置的用途来考量耐热性、透射波长、成膜方法等的特性，再加以选择使用。然而，光电转换元件用途的材料所要求的性能特别高，以往的空穴阻挡层或电子阻挡层在防漏电流特性、对制程温度的耐热性及可见光透明性等方面称不上具有充分的性能，因而在商业上仍未被有效地利用。

现有技术文献

专利文献

[专利文献1]日本特开2008-258592号公报

[专利文献2]WO2008-047896号

[专利文献3]WO2010-098372号

[专利文献4]日本专利第4945146号公报

[专利文献5]日本专利第5022573号公报

[专利文献6]日本特开2008-290963号公报。

非专利文献

[非专利文献1]J.Am.Chem.Soc.,2006,128(39),12604。

发明内容

发明所欲解决的课题

本发明有鉴于所述状况而完成，目的为提供一种缩合多环芳香族化合物，其可作为材料而使用于各种电子装置中，例如防止空穴或电子泄漏的特性、空穴或电子传输特性、对制程温度的耐热性及可见光透明性等优异的光电转换元件，和迁移率、耐热性优异的有机晶体管等。