[发明专利]用于同时检测多个辐射的辐射探测器

权利要求书

1.一种用于同时检测多个辐射的系统，包括：

探测器阵列，用于接收多个辐射并产生相应的多个探测器信号，其中探测器阵列的探测器产生多个探测器信号的探测器信号，所述探测器包括：

至少一个转换层，用于接收多个辐射并产生与多个辐射中的辐射对应的转换输出信号，和

传感器，其连接到至少一个转换层，用于接收转换输出信号并产生探测器信号；和

集成电路，其连接到探测器阵列，用于接收多个探测器信号并产生指示检测辐射的多个输出信号，所述集成电路包括：

前置放大器阵列，其用于接收多个探测器信号并产生相应的多个放大的探测器信号，其中前置放大器阵列的前置放大器连接到探测器，用于接收探测器信号并产生多个放大的探测器信号中的放大的探测器信号；和

信号整形电路阵列，其连接到相应的前置放大器阵列，用于接收多个放大的探测器信号并产生相应的多个输出信号，其中信号整形电路阵列的信号整形电路连接到前置放大器，用于接收放大的探测器信号并产生多个输出信号中的输出信号，并且其中使用硅技术和薄膜技术中的至少一种来实现探测器阵列，并且使用互补金属氧化物半导体（CMOS）技术和薄膜技术中的至少一种来实现集成电路。

2.根据权利要求1所述的系统，还包括反射器，用于将多个辐射反射到探测器阵列。

3.根据权利要求1所述的系统，其中传感器是电荷传感器，并且其中传感器包括PN二极管和PIN二极管中的至少一个。

4.根据权利要求1所述的系统，还包括处理单元，其连接到信号整形电路阵列，用于接收多个输出信号并产生处理后的输出信号。

5.根据权利要求1所述的系统，其中前置放大器包括：

第一晶体管，其具有连接到正电源电压的源极和连接到探测器用于接收探测器信号的栅极；

第二晶体管，其具有连接到探测器以接收探测器信号的栅极、连接到第一晶体管的漏极用于产生放大的探测器信号的漏极和连接到负电源电压的源极；和

第三晶体管，其具有连接到第一晶体管栅极的漏极、用于接收参考电压信号的栅极和连接到第一晶体管漏极的源极。

6. 根据权利要求5所述的系统，其中信号整形电路包括：

第一逻辑门，用于接收输出信号，并连接到第一晶体管的漏极，用于接收放大的探测器信号并产生中间信号；和

第二逻辑门，用于接收中间信号的延迟版本并产生输出信号。

7.根据权利要求1所述的系统，其中传感器和前置放大器阵列使用薄膜技术制造，并且其中传感器包括电荷传感器。

8. 根据权利要求7所述的系统，其中信号整形电路包括：

薄膜晶体管，其具有连接到前置放大器用于接收放大的探测器信号的栅极、用于产生中间信号的漏极和接地的源极；和

薄膜反相器，用于接收中间信号的延迟版本，并产生输出信号。