[发明专利]双轴磁通栅装置

权利要求书

1.一种集成电路，其包括：

半导体衬底；

磁通栅装置，其形成于所述半导体衬底上方，所述磁通栅装置具有：

第一磁芯，其具有从第一传感方向偏离大于0度且小于90度的第一磁化方向；

第一传感线圈，其包含卷绕在所述第一磁芯周围的第一线圈部件，所述第一传感线圈限定垂直于所述第一线圈部件的所述第一传感方向；

第二磁芯，其布置为正交于所述第一磁芯，所述第二磁芯具有从第二传感方向偏离大于0度且小于90度的第二磁化方向；以及

第二传感线圈，其包含卷绕在所述第二磁芯周围的第二线圈部件，所述第二传感线圈限定垂直于所述第二线圈部件的所述第二传感方向；以及

传感电路，其具有部分地形成于所述半导体衬底中且在所述磁通栅装置下方的晶体管，所述传感电路耦合到所述第一传感线圈及所述第二传感线圈。

2.根据权利要求1所述的集成电路，其中：

所述第一传感方向正交于所述第二传感方向。

3.根据权利要求1所述的集成电路，其中：

所述第一磁化方向从所述第一传感方向顺时针偏离大约45度；且

所述第二磁化方向从所述第二传感方向逆时针偏离大约45度。

4.根据权利要求1所述的集成电路，其中：

所述第一磁芯具有小于30的第一高宽比；且

所述第二磁芯具有小于30的第二高宽比。

5.根据权利要求1所述的集成电路，其中：

所述第一磁芯遍及所述第一传感方向具有等于或大于50μm的第一宽度；且

所述第二磁芯遍及所述第二传感方向具有等于或大于50μm的第二宽度。

6.一种磁通栅装置，其包括：

第一磁芯，其具有从第一传感方向偏离大于0度且小于90度的第一磁化方向；以及

第二磁芯，其布置为正交于所述第一磁芯，所述第二磁芯具有从第二传感方向偏离大于0度且小于90度的第二磁化方向

其中：

所述第一磁芯具有小于30的第一高宽比；且

所述第二磁芯具有小于30的第二高宽比。

7.根据权利要求6所述的磁通栅装置，其中所述第一传感方向布置为正交于所述第二传感方向。

8.根据权利要求6所述的磁通栅装置，其中所述第一磁化方向平行于所述第二磁化方向。

9.根据权利要求6所述的磁通栅装置，其中所述第一磁化方向从所述第一传感方向偏离大约45度。

10.根据权利要求6所述的磁通栅装置，其中所述第二磁化方向从所述第二传感方向偏离大约45度。

11.根据权利要求6所述的磁通栅装置，其中：

所述第一磁芯遍及所述第一传感方向具有等于或大于50μm的第一宽度；且

所述第二磁芯遍及所述第二传感方向具有等于或大于50μm的第二宽度。

12.根据权利要求6所述的磁通栅装置，其进一步包括：

第一传感线圈，其包含卷绕在所述第一磁芯周围的第一线圈部件，所述第一传感线圈限定垂直于第一卷绕平面的所述第一传感方向；以及

第二传感线圈，其包含卷绕在所述第二磁芯周围的第二线圈部件，所述第二传感线圈限定垂直于第二卷绕平面的所述第二传感方向。