[发明专利]CMOS控制元件的二维阵列

权利要求书

1.一种电子设备，包括：

多个CMOS控制元件，所述多个CMOS控制元件被布置成二维阵列，所述多个CMOS控制元件中的每个CMOS控制元件包括两个半导体器件，所述多个CMOS控制元件包括：

第一CMOS控制元件子集，所述第一CMOS控制元件子集中的每个CMOS控制元件包括低压半导体器件和高压PMOS半导体器件；以及

第二CMOS控制元件子集，所述第二CMOS控制元件子集中的每个CMOS控制元件包括低压半导体器件和高压NMOS半导体器件；

其中，所述多个CMOS控制元件被布置成二维阵列，使得：低压半导体器件仅与其他低压半导体器件相邻，高压PMOS半导体器件仅与其他高压PMOS半导体器件相邻，以及高压NMOS半导体器件仅与其他高压NMOS半导体器件相邻。

2.根据权利要求1所述的电子设备，还包括：

多个超声波换能器，所述多个超声波换能器被布置成二维阵列，所述多个超声波换能器中的每个超声波换能器都与所述多个CMOS控制元件中的CMOS控制元件相关联。

3.根据权利要求2所述的电子设备，其中，所述超声波换能器是压电微机械超声波换能器PMUT装置。

4.根据权利要求2所述的电子设备，还包括：

布置在所述多个CMOS控制元件与所述多个超声波换能器之间的互连层，所述互连层包括用于将每个超声波换能器电耦接至低压半导体器件、高压PMOS半导体器件以及高压NMOS半导体器件的电连接。

5.根据权利要求4所述的电子设备，其中，每个超声波换能器通过电容器电耦接至低压半导体器件。

6.根据权利要求1所述的电子设备，其中，所述低压半导体器件包括低压NMOS器件和低压PMOS器件。

7.根据权利要求1所述的电子设备，其中，所述二维阵列包括多行，所述多行包括：

第一行，所述第一行包括所述第一CMOS控制元件子集中的CMOS控制元件，其中，所述高压PMOS半导体器件与第一行的CMOS控制元件的第一边缘相邻，所述低压半导体器件与第一行的CMOS控制元件的第二边缘相邻，其中，所述第一行的第一边缘和所述第一行的第二边缘是第一行的CMOS控制元件的相对置的边缘；

第二行，所述第二行包括所述第二CMOS控制元件子集中的CMOS控制元件，其中，低压半导体器件与第二行的CMOS控制元件的第一边缘相邻，以及高压NMOS半导体器件与第二行的CMOS控制元件的第二边缘相邻，其中，所述第二行的第一边缘和所述第二行的第二边缘是第二行的CMOS控制元件的相对置的边缘，并且其中，所述第二行的低压半导体器件与所述第一行的低压半导体器件相邻；

第三行，所述第三行包括所述第二CMOS控制元件子集中的CMOS控制元件，其中，所述高压NMOS半导体器件与第三行的CMOS控制元件的第一边缘相邻，并且低压半导体器件与第三行的CMOS控制元件的第二边缘相邻，其中，所述第三行的第一边缘和所述第三行的第二边缘是第三行的CMOS控制元件的相对置的边缘，以及其中，所述第三行的高压NMOS半导体器件与所述第二行的高压NMOS半导体相邻；以及

第四行，所述第四行包括所述第一CMOS控制元件子集中的CMOS控制元件，其中，低压半导体器件与第四行的CMOS控制元件的第一边缘相邻并且高压PMOS半导体器件与第二行的CMOS控制元件的第二边缘相邻，其中，所述第四行的第一边缘和所述第四行的第二边缘是第四行的CMOS控制元件的相对置的边缘，以及其中，所述第四行的低压半导体器件与所述第三行的低压半导体器件相邻。