[发明专利]化合物、热电转换材料及化合物的制造方法

权利要求书

1.一种化合物，其中，

作为构成的元素至少包含锗、碲、铋及铜，

所述化合物以化学式Ge_1+a－b－cBi_bCu_cTe表示，

式中，－0.05≤a≤0.10、0＜b≤0.10、0＜c≤0.10，

遍布的铋的晶体及铜的晶体的最长直径小于2.0μm。

2.根据权利要求1所述的化合物，其中，存在条纹状的晶畴，晶畴的宽度为0.005μm以上且1μm以下，晶畴的长度为0.05μm以上。

3.一种化合物，其中，

作为构成的元素至少包含锗、碲、铋及铜，

所述化合物以化学式Ge_1+a－b－cBi_bCu_cTe表示，

式中，－0.05≤a≤0.10、0＜b≤0.10、0＜c≤0.10，

来自碲化锗的XRD峰的最大强度I(GeTe)与来自锗金属的XRD峰的最大强度I(Ge)的强度比I(Ge)/I(GeTe)为0.025以下，

存在条纹状的晶畴，晶畴的宽度为0.005μm以上且1μm以下，晶畴的长度为0.05μm以上。

4.根据权利要求3所述的化合物，其中，所述化合物中的遍布的铋的晶体及铜的晶体的最长直径小于2.0μm。

5.根据权利要求1～4中任一项所述的化合物，其具有来自碲化锗的菱形晶体结构。

6.一种化合物，其中，

作为构成的元素至少包含锗、碲、铋及铜，以及锗、碲、铋及铜以外的其他元素，所述其他元素为选自铅、铜、银、金、锌、镉、汞、铝、镓、铟、铊、锡、钯、锑、氮、磷、砷、氧、硫、硒、氟、氯、溴、以及碘以及中的一种以上的元素，

所述化合物以化学式Ge_{1+a－b－c－d}Bi_bCu_cM_dTe_1－eX_e表示，

式中，M为锗、铋以及铜以外的金属元素，X为碲以外的非金属元素，－0.05≤a≤0.10、0＜b≤0.10、0＜c≤0.10、0＜d≤0.40、0＜e≤0.40，

遍布的铋的晶体及铜的晶体的最长直径小于2.0μm。

7.根据权利要求6所述的化合物，其中，存在条纹状的晶畴，晶畴的宽度为0.005μm以上且1μm以下，晶畴的长度为0.05μm以上。

8.一种化合物，其中，

作为构成的元素至少包含锗、碲、铋及铜，以及锗、碲、铋及铜以外的其他元素，所述其他元素为选自铅、铜、银、金、锌、镉、汞、铝、镓、铟、铊、锡、钯、锑、氮、磷、砷、氧、硫、硒、氟、氯、溴、以及碘以及中的一种以上的元素，

所述化合物以化学式Ge_{1+a－b－c－d}Bi_bCu_cM_dTe_1－eX_e表示，

式中，M为锗、铋以及铜以外的金属元素，X为碲以外的非金属元素，－0.05≤a≤0.10、0＜b≤0.10、0＜c≤0.10、0＜d≤0.40、0＜e≤0.40，

来自碲化锗的XRD峰的最大强度I(GeTe)与来自锗金属的XRD峰的最大强度I(Ge)的强度比I(Ge)/I(GeTe)为0.025以下，

存在条纹状的晶畴，晶畴的宽度为0.005μm以上且1μm以下，晶畴的长度为0.05μm以上。

9.根据权利要求8所述的化合物，其中，所述化合物中的遍布的铋的晶体及铜的晶体的最长直径小于2.0μm。

10.根据权利要求6～9中任一项所述的化合物，其具有来自碲化锗的菱形晶体结构。