[发明专利]照射系统和量测系统

说明书

公开了一种用于量测装置的照射系统和一种包括这种照射系统的量测装置。照射系统包括照射源；以及线性可变滤波器装置，被配置为对来自上述照射源的辐射束进行滤波并且包括一个或多个线性可变滤波器。照射系统可操作用于在辐射束被线性可变滤波器装置滤波之后进行对辐射束的波长特性的选择性控制。

相关申请的交叉引用

本申请要求于2016年3月7日提交的EP申请16158994.0的优先权，其全部内容通过引用并入本文。

技术领域

本发明涉及可用于例如通过光刻技术进行的器件制造中的光刻方法和装置、以及使用光刻技术的制造器件的方法。

背景技术

光刻装置是一种将所需要的图案施加到衬底上(通常施加到衬底的目标部分上)的机器。例如，光刻装置可以用于集成电路(IC)的制造。在这种情况下，可以使用图案形成装置(替代地称为掩模或掩模版)来生成要在IC的单独层上形成的电路图案。这个图案可以转移到衬底(例如，硅晶片)上的目标部分(例如，包括一部分、一个或几个裸片)上。图案的转移通常经由成像到设置在衬底上的辐射敏感材料(抗蚀剂)层上来进行。通常，单个衬底将包含相继被图案化的相邻目标部分的网络。在光刻工艺中，经常需要对所产生的结构进行测量，例如，用于工艺控制和验证。用于进行这样的测量的各种工具是已知的，包括通常用于测量临界尺寸(CD)的扫描电子显微镜、以及用于测量套刻精度(器件中的两个层的对准的准确度的量度)的专用工具。可以根据两个层之间的未对准程度来描述套刻精度，例如，对1nm的测量套刻精度的引用可以描述两个层未对准1nm的情况。

最近，已经开发出各种形式的散射仪用于在光刻领域中使用。这些装置将辐射束引导到目标上，并且测量散射辐射的一个或多个性质(例如，根据波长变化的单个反射角处的强度；根据反射角变化的一个或多个波长处的强度；或者根据反射角变化的偏振)以获得“光谱”，由此可以确定目标的感兴趣性质。感兴趣性质可以通过各种技术来确定：例如，通过诸如严格耦合波分析或有限元方法等迭代方法重建目标；库搜索；以及主成分分析。

当执行这种暗场散射测量时，不同层中的不同目标可以对不同波长测量辐射表现出不同的行为。因此，测量辐射应当单独调谐到目标和/或层。量测装置可以被配置为允许从均匀地分布在整个光谱之上的几个(通常约7到10个)离散波长(其范围可以从400到900nm)中进行波长选择。在波长选择方面的更大的灵活性是所期望的。

发明内容

本发明的第一方面提供了一种用于量测装置的照射系统，其包括：照射源；以及线性可变滤波器装置，被配置为对来自上述照射源的辐射束进行滤波并且包括一个或多个线性可变滤波器；其中上述照射系统可操作用于在辐射束被上述线性可变滤波器装置滤波之后进行对辐射束的波长特性的选择性控制。

本发明还提供了一种用于测量光刻工艺的参数的量测装置，该量测装置包括第一方面的照射系统。

下面参考附图详细描述本发明的其他特征和优点、以及本发明的各种实施例的结构和操作。应当注意，本发明不限于本文所述的具体实施例。这样的实施例仅出于说明性目的而在本文中呈现。基于本文中包含的教导，其他实施例对于相关领域的技术人员将是很清楚的。

附图说明

现在将仅通过示例的方式参考附图描述本发明的实施例，在附图中：

图1描绘了光刻装置以及形成半导体器件的生产设施的其他装置；

图2包括(a)用于使用第一对照射孔测量目标的暗场散射仪的示意图，(b)用于给定照射方向的目标光栅的衍射光谱的细节；

图3示出了可用于本发明的实施例的(a)-(c)三种替代的可旋转地安装的滤波器元件设计；

图4示出了根据本发明的第一实施例的照射系统；

图5示出了根据本发明的第二实施例的照射系统；