[发明专利]偏振片

说明书

本发明提供即使对于短波长的光也表现出优异的消光比、且耐久性优异的偏振片。偏振片具有：透明基板、以规定的间隔平行地位于该透明基板的一个主面上的多个细线、以及至少覆盖细线的保护膜，细线同时含有金属和作为主成分的硅，保护膜是比硅更容易氧化的金属的氧化物膜，该金属的氧化物膜比二氧化硅更难被还原。

技术领域

本发明涉及对于短波长的光表现出优异消光比的偏振片。

背景技术

在液晶显示装置中，需要用于对液晶分子赋予期望取向的取向膜，这样的取向膜通过将布料等擦划于树脂层而制作槽的摩擦方式进行制作。但是，在以往的取向膜的制造方法中，由所使用的布料等产生的异物的附着成为问题。

近年来，在取向膜的制造中，采用了使用偏振片的光取向处理。用于该光取向处理的偏振片是利用半导体制造中使用的光刻技术、蚀刻技术，在玻璃基板上平行地配置多个细线而成的产物，作为构成细线的材料，可以使用铝、氧化钛(专利文献1)。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：日本特开2012-2972号公报

发明内容

发明要解决的问题

但是，构成偏振片的细线为铝时，耐热性不充分，另外，细线为氧化钛时，相对于紫外光的消光比(P波透射率/S波透射率)不充分。此处，P波透射率是与细线的长度方向垂直的偏振成分(P波)的透射率(出射光中的P波成分/入射光中的P波成分)，S波透射率是与细线的长度方向平行的偏振成分(S波)的透射率(出射光中的S波成分/入射光中的S波成分)。

另一方面，可以使用由含有硅的材料、例如钼硅化物系材料形成了细线的偏振片。这种偏振片的耐热性高，且相对于紫外光的消光比优异。另外，上述氧化钛对于可见光是透明的，与此相对，钼硅化物系材料发生着色，因此，存在容易校准偏振片的优点。但是，由于受紫外光照射、且累积的照射时间变长，因而，构成细线的硅被氧化从而二氧化硅增加，由此，P波透射率和S波透射率一同增加，特别是S波透射率增加的比例变大，存在消光比(P波透射率/S波透射率)降低的问题。对于该问题，作为防止构成细线的硅发生氧化的方法，可以考虑用难以被氧化的贵金属的薄膜来覆盖细线的方法，该方法会导致紫外光透射率的降低，不适合作为面向偏振片的对策。

本发明是鉴于上述实际情况而进行的，其目的在于，提供对于短波长的光表现出优异的消光比、且耐久性也优异的偏振片。

用于解决问题的方法

本发明人对于由含有硅的材料形成了细线的偏振片因受到紫外光照射而导致消光比(P波透射率/S波透射率)降低的原因，根据二氧化硅朝向细线的外侧生长，且细线中含有的硅随之向细线的表面侧移动这一分析结果，如下那样地进行了考察。即，自形成细线时起，在细线的表面存在数nm左右的厚度自然氧化膜(二氧化硅膜)，但通过对偏振片照射紫外光和由此导致的放热(200℃左右)而加速由气氛中的氧生成臭氧、激发氧原子，并使它们扩散至二氧化硅膜内并到达钼硅化物系材料，与钼硅化物系材料中的硅发生反应而生成二氧化硅，促进二氧化硅膜的生长。可以认为，该二氧化硅膜只要在继续照射紫外光的条件下就会持续生长，直至达到平衡状态为止，细线中含有的硅向细线表面移动，细线内部的硅的构成比率降低，消光比随之持续降低。进而，如果因二氧化硅膜的生长而导致二氧化硅膜的厚度增加，则细线被破坏或劣化，在偏振片面内发生消光比不均。并且，着眼于这些方面而想到了本发明。

即，本发明设为如下构成：具有透明基板、以规定的间隔平行地位于该透明基板的一个主面上的多个细线、以及至少覆盖上述细线的保护膜，上述细线同时含有金属和作为主成分的硅，上述保护膜是比硅更容易氧化的金属的氧化物膜，该金属的氧化物膜比二氧化硅更难被还原。

作为本发明的其它方式，设为如下构成：上述细线所含有的上述金属为钼。