[发明专利]针对使用电路模板的电路设计的提取的布局依赖效应的重用有效

专利信息
申请号: 201780001284.8 申请日: 2017-02-24
公开(公告)号: CN107533576B 公开(公告)日: 2021-09-24
发明(设计)人: D·J·奥莱尔登;F·G·K·森德格 申请(专利权)人: 美商新思科技有限公司
主分类号: G06F30/3953 分类号: G06F30/3953;G06F115/12
代理公司: 北京市金杜律师事务所 11256 代理人: 郑立柱;张昊
地址: 美国加利*** 国省代码: 暂无信息
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摘要:
搜索关键词: 针对 使用 电路 模板 电路设计 提取 布局 依赖 效应 重用
【权利要求书】:

1.一种计算机实现的用于制造集成电路的方法,包括:

接收包括电路段的所述集成电路的原理图;

通过物理实现模块从所述集成电路的第一布局提取所述集成电路的布局依赖效应信息;

对所提取的所述集成电路的布局依赖效应信息进行过滤,以识别与所述电路段中的部件和节点相对应的布局依赖效应信息;

通过实例化对应于所述电路段的电路模板,更新所述集成电路的所述原理图,所述电路模板表示所述电路段的抽象版本,所述抽象版本包含所述电路段的减少的连接性信息,所述电路段的所述布局依赖效应信息包括所述电路段的所述部件和所述节点的一个或多个寄生信息以及所述电路段的所述部件和节点的标准化名称;

使用所述电路段的所述布局依赖效应信息对所述集成电路的更新后的所述原理图执行仿真,以揭示所述集成电路中的设计缺陷;以及

响应于执行所述仿真,将更新后的所述原理图提供至所述物理实现模块,以制造不含所揭示的设计缺陷的所述集成电路,所述物理实现模块用于产生对应于所述电路模板的所述集成电路的至少一部分的第二布局。

2.根据权利要求1所述的计算机实现的用于制造集成电路的方法,其中所述电路段的所述布局依赖效应信息还包括以下中的一个或多个:

所述电路段的部件的多晶硅间距和多晶硅长度效应;

所述电路段的部件的浅沟槽隔离效应信息;以及

所述电路段的部件的阱邻近效应。

3.根据权利要求1所述的计算机实现的用于制造集成电路的方法,还包括:

从所述第二布局中提取层映射信息;以及

将所述层映射信息写入所述电路模板。

4.一种计算机实现的用于制造集成电路的方法,包括:

接收所述集成电路的原理图,所述集成电路包括电路段;

通过物理实现模块从所述集成电路的第一布局提取所述集成电路的布局依赖效应信息;

对所提取的所述集成电路的布局依赖效应信息进行过滤,以识别与所述电路段中的部件和节点相对应的布局依赖效应信息;

通过使用所述集成电路的所述原理图中对应于所述电路段的电路模板替换所述电路段,更新所述集成电路的所述原理图,所述电路模板表示所述电路段的抽象版本,所述抽象版本包含所述电路段的减少的连接性信息,所述电路段的所述布局依赖效应信息包括所述电路段的所述部件和所述节点的一个或多个寄生信息以及所述电路段的所述部件和节点的标准化名称;

使用所述电路段的布局依赖效应信息对所述集成电路的更新后的所述原理图执行仿真,以揭示所述集成电路中的设计缺陷;以及

将更新后的所述原理图传输至所述物理实现模块,以制造不含所揭示的设计缺陷的所述集成电路,所述物理实现模块用于产生对应于所述电路模板的所述集成电路的至少一部分的第二布局。

5.根据权利要求4所述的计算机实现的用于制造集成电路的方法,其中所述电路段的所述布局依赖效应信息还包括以下中的一个或多个:

所述电路段的部件的多晶硅间距和多晶硅长度效应;

所述电路段的部件的浅沟槽隔离效应信息;以及

所述电路段的部件的阱邻近效应。

6.根据权利要求4所述的计算机实现的用于制造集成电路的方法,其中对所述集成电路的所提取的布局依赖效应信息的过滤包括:

解析所述集成电路的所提取的布局依赖效应信息,以构建解析树;

遍历所述解析树并去除不对应于所述电路段的所述部件和所述节点的布局依赖效应信息;以及

将剩余的布局依赖效应信息写入所述电路模板。

7.根据权利要求4所述的计算机实现的用于制造集成电路的方法,还包括:

从所述第二布局中提取层映射信息;以及

将所述层映射信息写入所述电路模板。

8.根据权利要求4所述的计算机实现的用于制造集成电路的方法,其中更新所述集成电路的所述原理图包括生成用于所述集成电路的原理图的映射,所述映射包括将所述集成电路的原理图中的部件和节点的实际名称与所述电路模板中的所述标准化名称相关联。

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