[实用新型]一种驱动电路

说明书

本实用新型涉及一种驱动电路，所述驱动电路与待驱动的MOS管相连，所述驱动电路包括第一芯片、第一变压器、第一MOS管、第一电阻、第二电阻、第一电容、第一二极管和稳压管，当待驱动的MOS管的控制信号为下降沿时，第一变压器的二次侧会感应出反向电动势，使得第一MOS管导通，进而加快待驱动的MOS管的放电，实现待驱动的MOS管在关断时，第一MOS管迅速导通，拉低待驱动的MOS管的驱动电压，减小待驱动的MOS管的关断损耗，避免待驱动的MOS管由于关断过快产生振荡，防止待驱动的上下MOS管直通。

技术领域

本实用新型涉及开关电源领域，尤其涉及一种驱动电路。

背景技术

在技术日益进步的今天，高频开关电源中为了减小体积，提高功率密度，其功率MOS管的开关速度已提高至一秒几十万次，高频的开关速度导致MOS管的开关损耗急剧升高，目前成熟应用的LLC拓扑已经可以实现MOS管的零损耗导通，但是由于MOS管本身的寄生电容，导致MOS管关断时产生损耗、MOS管关断时产生振荡，上下桥臂驱动被干扰后上下管直通，MOS管会瞬间损坏。

实用新型内容

本实用新型所要解决的技术问题是：提供一种高频开关电源的MOS管的驱动电路，加快MOS管关断速度降低关断损耗，限制死区振荡，防止上下管直通。

为了解决上述技术问题，本实用新型采用的技术方案为：一种驱动电路，所述驱动电路与待驱动的MOS管相连，包括第一芯片、第一变压器、第一MOS管、第一电阻、第二电阻、第一电容、第一二极管和稳压管；

所述第一芯片与第一变压器的一次侧相连；

第一变压器的二次侧的一端通过第一电阻分别与第一MOS管的漏极和待驱动的MOS管的栅极相连；

第一MOS管的栅极通过第二电阻与第一变压器的二次侧的另一端相连，第一MOS管的源极通过第一二极管与第一变压器的二次侧的另一端相连；

待驱动的MOS管的源极通过稳压管与第一二极管的正极相连，所述第一电容和稳压管并联连接。

进一步的，第一MOS管的导通电压值与稳压管的稳压值成正相关。

进一步的，还包括第二电容，所述第二电容的一端与第一芯片相连，所述第二电容的另一端与第一变压器的一次侧相连。

进一步的，还包括第三电阻和第三电容，所述第三电阻的一端与待驱动的MOS管的栅极相连，第三电阻的另一端与第三电容的一端相连，所述第三电容的另一端与第一二极管的正极相连。

进一步的，还包括第四电阻，第四电阻的一端与待驱动的MOS管的栅极相连，第四电阻的另一端与稳压管的负极相连。

本实用新型的有益效果在于：当待驱动的MOS管的控制信号为高电平时，待驱动的MOS管导通，因稳压管的缘故，第一电容充电后无放电回路，第一电容的两端电压为一恒定值；当待驱动的MOS管的控制信号为低电平时，待驱动的MOS管截止，待驱动的MOS管的栅极和源极的电压差被钳位为所述的恒定值；当待驱动的MOS管的控制信号为下降沿时，第一变压器的二次侧会感应出反向电动势，由于第一二极管的方向限制，在第一MOS管导通前，所述反向电动势没有放电回路，所述反向电动势会越来越高，直至第一MOS管导通，进而加快待驱动的MOS管的放电，实现待驱动的MOS管在关断时，第一MOS管迅速导通，拉低待驱动的MOS管的驱动电压，减小待驱动的MOS管的关断损耗，避免待驱动的MOS管由于关断过快产生振荡，防止待驱动的上下MOS管直通。

附图说明

图1为根据本实用新型的一种驱动电路的实施例示意图；

标号说明：