[实用新型]一种新型高精度、快速响应的限幅电路

权利要求书

1.一种新型高精度、快速响应的限幅电路，其特征在于，所述限幅电路包括电磁感应耦合电路、整流电路、电压采样电路、共栅极放大器电路和阻值变换电路，其中，电磁感应耦合电路包括第一电感器、第二电感器和第一电容器，第二电感器和第一电容器组成谐振回路，第二电感器捕获第一电感器上发射的高频交流信号，然后将耦合能量传递到谐振回路上产生高压交流信号，高压交流信号再经过整流电路产生直流电压，电压采样电路对直流电压进行电压采样，电压采样电路输出电压给共栅极放大器电路提供直流工作点，阻值变换电路跟随直流电压快速变化，等效阻值随直流电压升高而变小，等效阻值随直流电压降低而变大，从而控制天线两端的电压幅度。

2.如权利要求1所述的新型高精度、快速响应的限幅电路，其特征在于，所述电磁感应耦合电路中，第一电感器的两端连接高频交流信号，第二电感器的一端连接第一电容器的一端，第二电感器的另一端、第一电容器的另一端接一电压地端，第二电感器与第一电感器通过互感系数间接连接。

3.如权利要求1所述的新型高精度、快速响应的限幅电路，其特征在于，所述整流电路包括第二电容器、第一NMOS晶体管、第二NMOS晶体管、第三NMOS晶体管和第四NMOS晶体管，其中，第一NMOS晶体管的源端、第二NMOS晶体管的源端以及第二电容器的一端相连接并接一电压地端，第一NMOS晶体管的栅端、第二NMOS晶体管的漏端、第三NMOS晶体管的栅端、第三NMOS晶体管的漏端以及第二电感器的一端相连接，第二NMOS晶体管的栅端、第一NMOS晶体管的漏端、第四NMOS晶体管的栅端、第四NMOS晶体管的漏端以及第二电感器的另一端相连接，第一NMOS晶体管的衬底、第二NMOS晶体管的衬底、第三NMOS晶体管的衬底、第四NMOS晶体管的衬底与一电压地端相连接，第三NMOS晶体管的源端、第四NMOS晶体管的源端、第一电容器的另一端与一电压端相连接。

4.如权利要求1所述的新型高精度、快速响应的限幅电路，其特征在于，所述电压采样电路包括第一电流源、第二电流源、第一PMOS晶体管、第一放大器、第二PMOS晶体管、第三PMOS晶体管、第四PMOS晶体管、第一电阻器和第二电阻器，其中，第二PMOS晶体管的源端及其衬底、第一电流源的一端、第二电流源的一端与一电压端相连接，第一电流源的另一端、第一PMOS晶体管的源端及其衬底与第一放大器的负输入端相连接，第二PMOS晶体管的栅端与第一放大器的输出端相连接，第二PMOS晶体管的漏端、第二电阻器的一端与第三PMOS晶体管的栅端相连接，第二电阻器的另一端、第一电阻器的一端与第一PMOS晶体管的栅端相连接，第一PMOS晶体管的漏端、第三电阻器的另一端、第三PMOS晶体管的漏端与一电压地端相连接，第一放大器的正输入端与参考电压端相连接，第二电流源的另一端与第四PMOS晶体管的源端及其衬底相连接，第四PMOS晶体管的栅端和漏端与第三PMOS晶体管的源端及其衬底相连接。

5.如权利要求1所述的新型高精度、快速响应的限幅电路，其特征在于，所述共栅极放大器电路包括第五PMOS晶体管和第五NMOS晶体管，其中，第五PMOS晶体管的源端及其衬底与一电压端相连接，第五PMOS晶体管的栅端、第五NMOS晶体管的栅端与电压采样电路中的第四PMOS晶体管的源端相连接，第五PMOS晶体管的漏端与第五NMOS晶体管的漏端相连接，第五NMOS晶体管的源端及其衬底与一电压地端相连接。

6.如权利要求1所述的新型高精度、快速响应的限幅电路，其特征在于，所述阻值变换电路包括第六NMOS晶体管、第七NMOS晶体管和第八NMOS晶体管，其中，第六NMOS晶体管的栅端与共栅极放大器电路中的第五NMOS晶体管的漏端相连接，第六NMOS晶体管的衬底及其源端与一电压地端相连接，第七NMOS晶体管的栅端及其漏端与整流电路中的第三NMOS晶体管的栅端相连接，第八NMOS晶体管的栅端及其漏端与整流电路中的第四NMOS晶体管的栅端相连接，第七NMOS晶体管的源端、第八NMOS晶体管的源端与第六NMOS晶体管的漏端相连接，第七NMOS晶体管的衬底、第八NMOS晶体管的衬底与一电压地端相连接。