[实用新型]一种可用于连续晶体自动刻度的实验平台有效
申请号: | 201721851982.0 | 申请日: | 2017-12-26 |
公开(公告)号: | CN207977115U | 公开(公告)日: | 2018-10-16 |
发明(设计)人: | 任宁;杨永峰;章先鸣;王晓辉;邝忠华;胡战利;桑子儒;付鑫;吴三;梁栋;刘新;郑海荣 | 申请(专利权)人: | 深圳先进技术研究院 |
主分类号: | G12B5/00 | 分类号: | G12B5/00 |
代理公司: | 上海胜康律师事务所 31263 | 代理人: | 李献忠;张静 |
地址: | 518055 广东省深圳*** | 国省代码: | 广东;44 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 步进电机 本实用新型 连续晶体 实验平台 丝杠导轨 下位机 放射源 固定部 上位机 可用 竖直 串口 下位机控制 电机电性 发送控制 晶体边缘 人工移动 核技术 移动 步进 成像 测试 | ||
本实用新型涉及核技术成像的技术领域,公开了一种可用于连续晶体自动刻度的实验平台,包括上位机、下位机、步进电机、放射源固定部及丝杠导轨;所述上位机通过串口向所述下位机发送控制命令,所述下位机与所述步进电机电性连接,所述下位机控制所述步进电机移动;所述步进电机包括水平方向步进电机及竖直方向步进电机,所述丝杠导轨数量为两个,所述水平方向步进电机与所述竖直方向步进电机分别安装于两个所述丝杠导轨上;所述步进电机控制所述放射源固定部移动。实施本实用新型的有益效果主要是:在进行晶体刻度时,不需要每个点的测试都进行人工移动,确定晶体边缘后,即可使用本实用新型所述实验平台进行连续晶体自动刻度。
技术领域
本实用新型涉及核技术成像的技术领域,特别涉及一种可用于连续晶体自动刻度的实验平台。
背景技术
本领域技术人员所知的是,正电子发射断层扫描成像(PET)是一种核医学成像技术,它通过探测正电子核素衰变产生的伽马射线成像,是一种无创伤,可以在分子水平上活体成像的技术,核医学设备能够将含有放射性核素的药物在体内的分布形成图像,该图像可以反映人体代谢、组织功能和结构形态。在核医学设备中,最为核心的部件为核探测器,该部件用于检测引入病患体内的放射性核素所发出的射线(例如γ射线)。常用的核医学设备探测器包括由多个晶体单元组成的晶体阵列和光电探测器。其中,晶体阵列用于检测病患体内释放出的射线光子(例如γ光子)并将其转换成可见光,光电探测器用于将可见光转换成电信号,所述电信号用于计算被射线光子撞击到的晶体单元所在的位置,以便形成位置散点图,形成被照射的人体的图像。
然而,PET性能取决于探测器的性能,在目前实验室中,对探测器晶体刻度实验平台大多采用手动调节,每次刻度一个点都需要人工调节到下一个测试点,由于半连续晶体刻度工作量大,耗费时间长,人为的调节会引入系统误差,影响刻度结果的准确度,同时还需要耗费大量的人力。
实用新型内容
本实用新型要解决的技术问题是提供一种能够为连续晶体自动刻度的实验平台。
为了解决上述技术问题,本实用新型中披露了一种可用于连续晶体自动刻度的实验平台,本实用新型的技术方案是这样实施的:
一种可用于连续晶体自动刻度的实验平台,包括上位机、下位机、步进电机、放射源固定部及丝杠导轨;所述上位机通过串口向所述下位机发送控制命令,所述下位机与所述步进电机电性连接,所述下位机控制所述步进电机移动;所述步进电机包括水平方向步进电机及竖直方向步进电机,所述丝杠导轨包括水平丝杠导轨及竖直丝杠导轨,所述水平方向步进电机安装于所述水平丝杠导轨上,所述竖直方向步进电机安装于所述竖直丝杠导轨上;所述放射源固定部安装在所述竖直丝杠导轨上。
优选地,还包括准直器,所述准直器固定于所述竖直丝杠导轨上。
优选地,还包括步进电机驱动器,所述下位机通过向所述步进电机驱动器发送脉冲信号及方向信号来驱动所述步进电机移动。
优选地,还包括控制手柄,所述控制手柄与所述下位机电性连接,所述控制手柄用于控制所述步进电机前进/后退及调节所述步进电机的步进值。
优选地,还包括液晶显示屏,所述液晶显示屏与所述下位机电性连接。
优选地,所述下位机为单片机或PLC控制器。
优选地,还包括连接件,所述连接件用于连接所述水平丝杠导轨与所述竖直丝杠导轨。
优选地,还包括用于固定所述准直器的放置台,所述放置台固定于所述竖直丝杠导轨上。
优选地,所述放置台上设置有U型卡接口,所述U型卡接口用于固定所述准直器。
实施本实用新型的有益效果主要有:
1、在进行晶体刻度时,不需要每个点的测试都进行人工移动,确定晶体边缘后,即可使用本实用新型所述实验平台进行连续晶体自动刻度;
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于深圳先进技术研究院,未经深圳先进技术研究院许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201721851982.0/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:一种堆叠式存储芯片的分布存储器
- 下一篇:一种三维碳纳米管薄膜电极结构