[实用新型]一种用于区熔炉的二次夹持块

说明书

本实用新型公开了一种用于区熔炉的二次夹持块。该二次夹持块包括夹持块主体、夹持针、挡针顶丝和连接杆，夹持针的一端从夹持块主体的上部嵌入夹持块主体内部，夹持块主体内部具有供夹持针前后倾斜的空间；挡针顶丝两两相对地安装在夹持块主体的前后两面上，相对的两根挡针顶丝端部顶住夹持针，通过调整该两根挡针顶丝的位置调整夹持针相对于夹持块主体的倾斜角度；连接杆连接在夹持块主体的下部。利用本实用新型的二次夹持块可以在装炉时，通过调节夹持针的位置，改变夹持针的角度，为区熔生产工艺改进提供更宽的延展性。

技术领域

本实用新型涉及一种用于区熔炉的二次夹持块，属于半导体材料技术领域。

背景技术

硅单晶体作为一种半导体材料，一般用于制造集成电路和其他电子元件。区熔法生长单晶硅是一种重要的方法。区熔法是一种简单的物理过程，在一定的条件下，经过高频区域熔化，然后从籽晶方向引出单晶硅，这种方法就是区熔方法。区熔方法包括以下步骤：将籽晶和多晶硅对中，抽真空，通氩气，预热，缩细颈，放肩，等径，投一次夹持，二次夹持，收尾，停炉。

原有二次夹持块(图1)，是单一结构的不锈钢块，当投夹持动作开始时，二次夹持块以二投立柱为轴呈弧形运动，并依靠至单晶表面。

此方案缺点在于：夹持块及夹持针形态影响单晶运行空间，其衍生的技术缺陷有以下几点：

1、生产大直径单晶时，由于受空间所限，在投放一次夹持前单晶与二次夹持针发生剐蹭，放肩失败。

2、生产工艺使用小直径反射器时，反射器下端与二次夹持块发生剐蹭，工艺改进无法进行。

3、生产工艺使用宽反射器时，反射器下端与二次夹持块发生剐蹭，工艺改进无法进行。

实用新型内容

本实用新型的目的在于提供一种用于区熔炉的二次夹持块，。

为实现上述目的，本实用新型采用以下技术方案：

一种用于区熔炉的二次夹持块，包括夹持块主体、夹持针、挡针顶丝和连接杆，夹持针的一端从夹持块主体的上部嵌入夹持块主体内部，夹持块主体内部具有供夹持针前后倾斜的空间；挡针顶丝两两相对地安装在夹持块主体的前后两面上，相对的两根挡针顶丝端部顶住夹持针，通过调整该两根挡针顶丝的位置调整夹持针相对于夹持块主体的倾斜角度；连接杆连接在夹持块主体的下部。

优选地，所述夹持针的数量为两根。

优选地，所述夹持块主体的前后面均为弧形面。

本实用新型的优点在于：

利用本实用新型的二次夹持块可以在装炉时，通过调节夹持针的位置，改变夹持针的角度，为区熔生产工艺改进提供更宽的延展性。

附图说明

图1为现有二次夹持块的结构示意图。

图2为本实用新型的二次夹持块的结构示意图。

图3为本实用新型的夹持块主体内部的截面图。

具体实施方式

下面结合附图对本实用新型做进一步说明，但并不意味着对本实用新型保护范围的限制。

如图2所示，本实用新型的二次夹持块包括夹持块主体、两根夹持针2、挡针顶丝3和连接杆4，两根夹持针2的一端从夹持块主体1的上部嵌入夹持块主体1内部，夹持块主体1内部具有供夹持针2前后倾斜的空间；四个挡针顶丝3两两相对地安装在夹持块主体1的前后两面上，相对的两根挡针顶丝端部顶住夹持针2，通过调整该两根挡针顶丝3的位置调整夹持针2相对于夹持块主体1的倾斜角度；连接杆4连接在夹持块主体1的下部。