[实用新型]一种电动汽车用IGBT或MOSFET版图结构

说明书

本实用新型属于电动汽车晶体管技术领域，尤其涉及一种电动汽车用IGBT或MOSFET版图结构。其包括IGBT或MOSFET版，所述IGBT或MOSFET版上间隔设置若干列沟槽，所述同一列沟槽重复断开，所述同一列沟槽断开间距0.6um，所述同一列沟槽断开间距的中间设置发射极接触孔，所述发射极接触孔与相邻所述沟槽之间的间距0.2um，相邻两列所述沟槽错位设置并横向连接，相邻两列所述沟槽之间的间距为0.2um。本实用新型通过沟槽以及发射极接触孔的版图设计使得元胞尺寸缩小，沟道密度增加，从而电流密度大大提高，IGBT或MOSFET的芯片尺寸可大大减小，从而成本降低，同时整个设计的余量也会更加充分。

技术领域

本实用新型属于电动汽车晶体管技术领域，尤其涉及一种电动汽车用IGBT或MOSFET版图结构。

背景技术

随着电动汽车等行业的快速发展，对绝缘栅双极形晶体管或金属氧化物半导体场效应晶体管(以下简称IGBT或MOSFET)提出了更高的挑战，其中之一就是要求功率容量不断增大，即意味着IGBT的单位电流密度尽可能高。为达到该目的，一种很有效的措施为将其芯片元胞尺寸一再缩小，以提高其电流密度，现今一些先进的技术可以将IGBT元胞尺寸缩小到0.8um,电流密度可以达到380A/cm²。然而元胞尺寸继续缩小则受到了实际工艺能力、工艺设计规则的限制，其中最关键的一项即受到IGBT发射极孔或MOSFET源极孔本身的工艺尺寸及其到trench沟槽的设计规则限制，使得IGBT或MOSFET元胞尺寸的继续缩小变得极为困难甚至不可行。

实用新型内容

针对现有技术上存在的不足，本实用新型提供一种基于沟槽或复合沟槽，缩小IGBT或MOSFET元胞尺寸，提高电流密度、降低成本的电动汽车用IGBT或MOSFET版图结构。

为了实现上述目的，本实用新型是通过如下的技术方案来实现：

一种电动汽车用IGBT或MOSFET版图结构，其包括IGBT或MOSFET版，所述IGBT或MOSFET版上间隔设置若干列沟槽，所述同一列沟槽重复断开，所述同一列沟槽断开间距0.6um，所述同一列沟槽断开间距的中间设置发射极接触孔，所述发射极接触孔与相邻所述沟槽之间的间距为0.2um，相邻两列所述沟槽错位设置并横向连接，相邻两列所述沟槽之间的间距为0.2um。

上述的一种电动汽车用IGBT或MOSFET版图结构，其第n列所述沟槽的顶端与第n+1列所述的沟槽的底端连接，第n+1列所述的沟槽的顶端连接第n+2列所述沟槽的中部，所述第n+2列的沟槽的顶端与第n+3列所述的沟槽的底端连接，第n+3列所述的沟槽的顶端连接第n+4列所述沟槽的中部，以此类推构成二维排布沟槽。

该种设计解决了现有因为IGBT发射极孔或MOSFET源极孔本身的工艺尺寸及其到trench沟槽的设计规则限制，使得IGBT或MOSFET元胞尺寸的继续缩小变得极为困难甚至不可行。

上述的一种电动汽车用IGBT或MOSFET版图结构，其所述沟槽长度大于1.6um，且小于10um。本实用新型主要应用于电动汽车用晶体管领域，但并不仅限于此，还包括一些其他对IGBT或MOSFET需要高电流密度、小体积需求的应用领域。

有益效果：

本实用新型通过沟槽以及接触孔的特殊连接设计，保证满足现有工艺能力的设计规则，使得IGBT或者MOSFET的元胞尺寸缩小，沟道密度增加，从而电流密度大大提高，同时合理的沟槽断开密度可保证其沟道损失尽量减小且开通均匀性不降低，相比同样电流的要求，IGBT或MOSFET的芯片尺寸可大大减小，从而成本降低，同时整个设计的余量也会更加充分。

附图说明

下面结合附图和具体实施方式来详细说明本实用新型；

图1为本实用新型的结构示意图。

具体实施方式