[实用新型]锂离子手机电池保护电路装置

说明书

本实用新型涉及一种锂离子手机电池保护电路装置，该装置设有电路保护板，该电路保护板的电路包括集成电路保护芯片U1、MOSFET晶体管Q1、电容C1、C3、C4及C6，其容值为μF级，典型值0.1μF；在保护板电路中集成电路保护芯片U1的引脚VDD和VSS两端并联一个8.2pF的滤波电容C5；电路中B+、B‑连接电芯的正负极，P+、P‑为电池组的成品输出端正负极。辐射杂散（RSE）测试是手机在CCC认证中的重点必测项目。在手机端整机测试失效的情况下，通过在电池端的保护电路上增加pF级的高频滤波电容，能有效的改善上述难题，从而顺利通过测试，能够提高开发产品的效率。本实用新型结构简单，电路设计合理，使用方便，节约成本，应用效果非常显著。

技术领域

本实用新型涉及一种手机电池保护装置,特别涉及一种锂离子手机电池保护电路装置。

背景技术

目前，辐射杂散（RSE）测试是手机在CCC认证中的重点必测项目。在手机电池保护板电路以往设计中器件IC的外围电路中电容均是μF级的电容。在手机整机RSE辐射杂散测试中，由于手机电路设计等多种因素影响，会出现不合格的情况，即GSM1800下测试结果大于-30dbm(标准为小于-30dbm)；从而直接影响测试运作及产品开发的效率。

因此，需要开发一种结构简单、电路设计合理、应用效果显著的锂离子手机电池保护电路装置，是该领域技术人员应着手解决的问题之一。

实用新型内容

本实用新型的目的在于提供一种结构简单、电路设计合理、应用效果显著的锂离子手机电池保护电路装置。

为了实现上述目的本实用新型采用技术方案是：一种锂离子手机电池保护电路装置，其特征在于该装置设有电路保护板，该电路保护板的电路包括集成电路保护芯片U1、MOSFET晶体管Q1、电容C1、C3、C4及C6，其容值为μF级，且典型值0.1μF；在保护板电路中集成电路保护芯片U1的引脚VDD和VSS两端并联一个滤波电容C5；电路中B+、B-连接电芯的正负极，P+、P-为电池组的成品输出端正负极。

所述滤波电容C5容值为8.2pF。

本实用新型的有益效果是：在手机端整机测试失效的情况下，通过在电池端的保护电路上增加pF级的高频滤波电容，能有效的改善上述由于手机电路设计等多种因素影响出现的不合格的情况，即GSM1800下测试结果大于-30dbm(标准为小于-30dbm)等问题，从而顺利通过测试，提高产品开发效率。本实用新型结构简单，电路设计合理，使用方便，节约成本，应用效果非常显著。

附图说明

图1是本实用新型的手机电池保护板电路原理图；

图中：集成电路保护芯片U1，晶体管Q1，电容C1、C3、C4、C5、C6，电阻R1、R2，普通电阻ID及热敏电阻NTC。

具体实施方式

以下结合附图和较佳实施例，对依据本实用新型提供的具体实施方式、结构、特征详述如下：

如图1所示，一种锂离子手机电池保护电路装置，该装置设有电路保护板，该电路保护板的电路包括集成电路保护芯片U1、MOSFET晶体管Q1、电容C1、C3、C4及C6，其容值为μF级（典型值0.1μF）, 在保护板电路中集成电路保护芯片U1的引脚 VDD和VSS两端并联一个8.2pF的滤波电容C5。增设8.2pF滤波电容C5并经认证测试机构测试之后，结果有显著提升，测试顺利通过，有效解决了客户端手机射频测试失效的问题。电路中B+、B-连接电芯的正负极，P+、P-为电池组的成品输出端正负极。

集成电路保护芯片 U1、MOSFET晶体管Q1、电阻R1、R2、电容C1等是电路保护板电性能功能的主要器件，集成电路保护芯片U1及外围电阻、电容能检测到电池的过充电电压、欠压放电、充放电过流等，通过控制MOSFET晶体管Q1的关断起到保护的功能。ID及NTC根据需求不同进行相应设置。