[实用新型]一种改进中频谷点和频响延伸的微型扬声器

说明书

本实用新型公开一种改进中频谷点和频响延伸的微型扬声器，包括支架、磁路系统和振动系统，所述磁路系统和振动系统均安装于支架上，所述振动系统设于磁路系统的上方，所述磁路系统包括U形铁、磁石和极片，所述磁石设于U形铁内，所述极片设于磁石的上方，所述振动系统包括振膜、环形骨架、音圈和膜片，所述振膜包括振膜球顶和振膜边缘，所述振膜边缘与环形骨架固定连接，所述振膜球顶凸出于环形骨架的上表面，所述音圈设于振膜的下方，所述膜片下表面贴合于振膜的上表面，所述振膜为复合振膜。本实用新型能使微型扬声器不会在频率响应曲线在2~4KHz频段间出现中频谷衰减，同时使高频响应延伸至40KHz或以上，提高微型扬声器音效品质。

技术领域

本实用新型涉及声学技术领域，特别涉及一种改进中频谷点和频响延伸的微型扬声器。

背景技术

随着高品质智能手机、音频播放器等便携式电子产品的广泛应用，人们对可与其配合应用的头戴式微型扬声器的要求也越来越高，在要求外观吸引人的同时，还要求其具备高解析度的回放性能。由于工业设计的需要，现有头戴式微型扬声器的设计输出要符合低、中、高三频能量均衡，频响响应曲线要求平滑衔接，控制和减少频段出现深谷点衰减，同时有效延伸高频响应。现有头戴式微型扬声器的频率响应曲线在2~4KHz频段间容易出现中频谷衰减，高频延伸到20KHz前会出现大幅度衰减，如此使头戴式耳机回放音源时容易出现频段响应变差，高频响应领域拓展欠佳，不能充分真实还原信号。

发明内容

本实用新型要解决的技术问题是，针对上述现有技术中的不足，提供一种改进中频谷点和频响延伸的微型扬声器，其能使微型扬声器具有良好的频率响应，使微型扬声器不会在频率响应曲线在2~4KHz频段间出现中频谷衰减，同时使高频响应延伸至40KHz或以上，提高微型扬声器音效品质。

为解决上述技术问题，本实用新型的技术方案是：

一种改进中频谷点和频响延伸的微型扬声器，包括支架、磁路系统和振动系统，所述磁路系统和振动系统均安装于支架上，所述振动系统设于磁路系统的上方，所述磁路系统包括U形铁、磁石和极片，所述U形铁设有容置槽，所述磁石置于容置槽内，所述极片设于磁石的上方，所述支架上设有安装位，所述U形铁安装于安装位上，所述振动系统包括振膜、环形骨架、音圈和膜片，所述振膜包括振膜球顶和振膜边缘，所述振膜边缘与环形骨架固定连接，所述振膜球顶凸出于环形骨架的上表面，所述音圈设于振膜的下方，所述膜片下表面贴合于振膜的上表面，所述振膜为由至少两层不同材料制作而成的膜层复合形成的复合振膜。

作为一种优选方案，所述膜片的下表面全面贴合于振膜的上表面。

作为一种优选方案，所述膜片包括呈环状的主体部和自主体部内侧自外向内向上倾斜的折弯部，所述主体部的下表面贴合于振膜位于音圈正上方位置的上表面，所述折弯部的高度不大于振膜边缘与振膜球顶之间高度的五分之一。

作为一种优选方案，所述膜片呈环状，所述膜片的下表面贴合于振膜位于音圈正上方位置的上表面，所述膜片的外圈比音圈的外圈大0-5mm，所述膜片的内圈比音圈的内圈小0-5mm。

作为一种优选方案，所述振膜边缘的上表面通过粘接方式与环形骨架的底面固定连接，所述振膜球顶穿过环形骨架的内圈凸出于环形骨架的上表面。

作为一种优选方案，所述振膜为由PU膜层和PEEK膜层复合形成的复合振膜。

作为一种优选方案，所述膜片的表面镀有金属钛。

作为一种优选方案，所述改进中频谷点和频响延伸的微型扬声器还包括接线片，所述接线片设于支架的底面。

作为一种优选方案，所述改进中频谷点和频响延伸的微型扬声器还包括第一调音网，所述支架位于安装位的周边环状设置有第一传音孔，所述第一调音网设于第一传音孔的下方。