[实用新型]一种无砟轨道板温度场及其变形模拟装置

权利要求书

1.一种无砟轨道板温度场及其变形模拟装置，包括两个以上的无砟轨道板(5)和一个以上的宽窄接缝(4)，每个宽窄接缝(4)位于相邻的无砟轨道板(5)之间并与两侧的无砟轨道板连接，其特征在于，还包括温度采集仪、动态信号采集仪和数据处理终端，每个无砟轨道板(5)内一个或多个横向截面上设置有加热电阻层，和/或在每个无砟轨道板(5)内设置多个温度传感器，用于测量无砟轨道板(5)内部横向和/或纵向和/或垂向上的温度和/或温度变化；

每个无砟轨道板(5)与宽窄接缝(4)连接处的外端面上设置有一个或多个的位移传感器(6)，所述位移传感器(6)位于与无砟轨道板(5)连接的宽窄接缝(4)的宽接缝和/或窄接缝处；所述温度传感器连接温度采集仪，所述位移传感器(6)连接动态信号采集仪，温度采集仪和动态信号采集仪连接数据处理终端；

垂向指无砟轨道板的厚度方向，横向指无砟轨道板铺设延伸方向，纵向指与无砟轨道板铺设延伸方向垂直的方向。

2.根据权利要求1所述的一种无砟轨道板温度场及其变形模拟装置，其特征在于，所述加热电阻层位于无砟轨道板(5)内的靠近上表面和/或靠近下表面的水平方向上，与无砟轨道板(5)的上表面或者下表面的最近距离为15～25毫米；每个无砟轨道板的各个侧面与其内设置的最接近的加热电阻层的距离为30～300毫米。

3.根据权利要求1所述的一种无砟轨道板温度场及其变形模拟装置，其特征在于，每个无砟轨道板(5)的各个侧面与其内设置的最接近的温度传感器之间的距离为15～250毫米，每个无砟轨道板(5)的上表面或下表面与其内设置的最接近的温度传感器之间的距离为3～30毫米。

4.根据权利要求1所述的一种无砟轨道板温度场及其变形模拟装置，其特征在于，位于宽接缝处的位移传感器与宽接缝上端面的距离为宽接缝厚度的1/4～3/4；位于窄接缝处的位移传感器与窄接缝下端面的距离为窄接缝厚度的1/4～3/4。

5.根据权利要求1所述的一种无砟轨道板温度场及其变形模拟装置，其特征在于，在距离每个无砟轨道板(5)上表面3～30毫米处的横向截面上，沿横向和纵向间隔设置多个温度传感器，构成上层温度传感器；沿垂向方向在上层温度传感器正下方重复设置至少一层温度传感器，与上层温度传感器位置排布相对应。

6.根据权利要求5所述的一种无砟轨道板温度场及其变形模拟装置，其特征在于，所述上层温度传感器为以所述横向截面的中心或近中心为起点，沿横向和纵向间隔设置的多个温度传感器。

7.根据权利要求5所述的一种无砟轨道板温度场及其变形模拟装置，其特征在于，所述上层温度传感器中，沿靠近宽窄接缝的横向方向上间隔设置多个温度传感器。

8.根据权利要求5所述的一种无砟轨道板温度场及其变形模拟装置，其特征在于，所述上层温度传感器下方设置多层温度传感器时，上下相邻温度传感器层的间距均相同。

9.根据权利要求5所述的一种无砟轨道板温度场及其变形模拟装置，其特征在于，每个无砟轨道板(5)的下表面与其内设置的最接近的所述温度传感器层的距离为3～30毫米。