[实用新型]一种应用于X波段行波管慢波系统吸收器

说明书

本实用新型公开了一种应用于X波段行波管慢波系统吸收器，属于真空电子器件领域。针对现有行波管发生自激振荡、工作不稳定的问题，本实用新型的吸收器上设置了薄膜碳层，薄膜碳层阻值为渐变模式，可以有效避免行波管在工作频带内产生自激震荡。吸收器上均真空涂镀钼、铜处理，厚度控制在0.004～0.008mm，使吸收器与慢波外壳接触更加牢固，提高行波管慢波系统的散热，可以承受更大的功率。本实用新型的吸收器通过对吸收器阻值渐变的设计和改进，有效避免了行波管在工作频带内产生自激震荡，提高了行波管工作稳定性。

技术领域

本实用新型属于真空电子器件领域，更具体地说，涉及一种应用于X波段行波管慢波系统吸收器。

背景技术

行波管作为真空微波功率放大器件，具有频带宽、增益大、效率高、输出功率大等优点，在各类军用微波发射机中有着广泛的应用，被誉为武器装备的“心脏”。武器装备的发展对行波管的技术指标不断提出新的要求，要求不断提高输出功率、频率及效率，行波管慢波系统的结构改进便成为首要途径，特别是行波管的自激振荡，对提高行波管的稳定性有了更高的要求。

发明内容

针对现有行波管发生自激振荡、工作不稳定的问题，本实用新型提供一种应用于X波段行波管慢波系统吸收器，吸收器主体结构为氧化铍陶瓷薄膜涂镀结构，通过对吸收器阻值渐变的设计和改进，在工作频带有足够的衰减量，避免了行波管的自激震荡，增加薄膜涂镀层，提高了慢波系统的承受功率，散热好，不易烧毁，使行波管工作更加稳定。

为解决上述问题，本实用新型采用如下的技术方案。

一种应用于X波段行波管慢波系统吸收器，包括输入吸收器和输出吸收器，所述输入吸收器和所述输出吸收器均为其中一个较小的侧面为圆弧形面的四边形柱，所述四边形柱的侧面由圆弧面和非圆弧面组成，所述四边形柱的其中一个底面为端面，所述圆弧面和非圆弧面的距所述端面一定距离的部分分别为第一圆弧面和第一方形面，所述圆弧面由第二圆弧面和所述第一圆弧面组成；

所述第一方形面的表面设有薄膜碳层；

所述第二圆弧面的表面设有钼铜层；

所述第一圆弧面的表面依次设有薄膜碳层和钼铜层。

更进一步地，所述第一方形面和所述第一圆弧面上的薄膜碳层的厚度自所述端面向内逐渐减小，所述第一方形面和所述第一圆弧面的每平方的电阻值自靠近所述端面处的0.4kΩ向内增大至纯陶瓷电阻。

更进一步地，所述第一圆弧面和所述第一方形面距所述端面的距离为20～28mm。

更进一步地，所述钼铜层的厚度为0.004～0.008mm。

更进一步地，所述输入吸收器和所述输出吸收器的材料采用氧化铍陶瓷。

更进一步地，所述氧化铍陶瓷符合以下指标：单位体积电阻不小于1×104/Ω/cm；在3×109/Hz频率下，介电损耗正切值不超过5×10^-4；介电传导性不超过7.2；在真空度6.67Pa下的导热性不小于251w/mk(0.6卡/c.cm.℃)。

相比于现有技术，本实用新型的有益效果为：本实用新型通过对吸收器阻值渐变的设计和薄膜涂镀，有效避免了行波管在工作频带内产生自激震荡，提高了行波管工作稳定性，涂镀钼铜层起到提高了慢波系统的承受功率和散热的作用，使吸收器与慢波外壳接触更加牢固。

附图说明

图1为本实用新型的吸收器示意图；

图2为本实用新型的输入吸收器结构示意图；

图3为本实用新型的输出吸收器结构示意图；

图4为本实用新型的吸收器制作工艺流程步骤。