[实用新型]放电激励式气体激光腔室及激光器有效
申请号: | 201721689122.1 | 申请日: | 2017-12-07 |
公开(公告)号: | CN207743552U | 公开(公告)日: | 2018-08-17 |
发明(设计)人: | 都丸仁;奈良久;松永隆;西坂敏博 | 申请(专利权)人: | 极光先进雷射株式会社 |
主分类号: | H01S3/03 | 分类号: | H01S3/03;H01S3/038 |
代理公司: | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人: | 陶海萍;田勇 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 电容器 放电电极 调峰 气体激光 放电 腔室 激光器 电容 本实用新型 不均匀 电连接 位置处 激光 输出 | ||
本实用新型提供一种放电激励式气体激光腔室及激光器。所述放电激励式气体激光腔室包括:多个调峰电容器,其中所述多个调峰电容器中任意两个调峰电容器之间的电容差在预定电容值的20%以下;第一放电电极,其与所述多个调峰电容器电连接;以及第二放电电极,其被设置在与所述第一放电电极相对的位置处。由此,能够减少甚至避免放电电极产生不均匀的损耗的情况,提高激光输出的性能。
技术领域
本实用新型涉及半导体领域,尤其涉及一种放电激励式气体激光腔室及激光器。
背景技术
伴随着半导体集成电路的细微化、高集成化,在半导体曝光装置中要求提高分辨率。以下将半导体曝光装置简称为“曝光装置”。因此,从曝光用光源输出的光的波长在变短。在曝光用光源中代替现有的水银灯而使用了气体激光装置。例如,使用输出波长248nm的紫外线的KrF准分子激光装置以及输出波长193nm的紫外线的ArF准分子激光装置,作为曝光用的气体激光装置。
现有技术中,例如放电激励式气体激光腔室内配置有一对放电电极,在所述一对放电电极之间能够进行放电。
应当注意,上面对背景技术的介绍只是为了方便对本申请的技术方案进行清楚、完整的说明,并方便本领域技术人员的理解而阐述的。不能仅仅因为这些方案在本申请的背景技术部分进行了阐述而认为上述技术方案为本领域技术人员所公知。
实用新型内容
发明人发现:与放电电极可以连接有多个调峰电容器;但是如果这些调峰电容器的电容不均匀,则放电电极之间的放电也可能会不均匀,从而导致放电电极会产生不均匀的损耗的情况。
为了解决上述问题,本实用新型提供一种放电激励式气体激光腔室和激光器。与第一放电电极连接有多个调峰电容器,并且所述多个调峰电容器中任意两个调峰电容器之间的电容差在预定电容值的20%以下。
根据本实用新型实施例的第一方面,提供了一种放电激励式气体激光腔室,包括:
多个调峰电容器,其中所述多个调峰电容器中任意两个调峰电容器之间的电容差在预定电容值的20%以下;
第一放电电极,其与所述多个调峰电容器电连接;以及
第二放电电极,其被设置在与所述第一放电电极相对的位置处。
根据本实用新型实施例的第二方面,其中,所述多个调峰电容器中任意两个调峰电容器之间的电容差在所述预定电容值的10%以下。
根据本实用新型实施例的第三方面,其中,所述多个调峰电容器的电容值为100pF~250pF。
根据本实用新型实施例的第四方面,其中,所述多个调峰电容器的数量为24~42个。
根据本实用新型实施例的第五方面,其中,所述多个调峰电容器的数量为36~40个。
根据本实用新型实施例的第六方面,其中,所述多个调峰电容器按照等间隔的方式被配置。
根据本实用新型实施例的第七方面,提供一种放电激励式气体激光器,其具有激光腔室和电源;所述激光腔室包括:
多个调峰电容器,其与所述电源电连接;其中所述多个调峰电容器中任意两个调峰电容器之间的电容差在预定电容值的20%以下;
第一放电电极,其与所述多个调峰电容器电连接;以及
第二放电电极,其被设置在与所述第一放电电极相对的位置处。
本实用新型的有益效果在于:与第一放电电极连接有多个调峰电容器,并且所述多个调峰电容器中任意两个调峰电容器之间的电容差在预定电容值的20%以下。由此,能够减少甚至避免放电电极产生不均匀地损耗的情况,提高激光输出的性能。
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