[实用新型]基于圆环形太赫兹波双带带阻滤波器

说明书

本实用新型公开了一种基于圆环形太赫兹波双带带阻滤波器。它包括基底层和金属谐振层；其中基底层由左矩形贴片、右矩形贴片、内圆环贴片和开口外圆环贴片组成；内圆环贴片和开口外圆环贴片的圆心位于滤波器的中心位置。本实用新型具有结构简单紧凑新颖、易加工、双带带组滤波等优点。

本实用新型涉及滤波器，尤其涉及一种基于圆环形太赫兹波双带带阻滤波器。

背景技术

太赫兹技术是二十世纪80年代末发展起来的一种新技术。太赫兹波独特的频率范围覆盖了多数大分子物质的分子振动和转动光谱，因此多数大分子物质在太赫兹频段无论其吸收谱、反射谱还是发射谱都具有明显的指纹谱特性，这一点是微波所不具备的。太赫兹脉冲光源与传统光源相比具有很多独特的性质，如：瞬态性、低能性等，这些特点决定了太赫兹技术在工业应用领域、医学领域、通信领域以及生物等领域中有相当重要的应用前景。因此太赫兹技术以及太赫兹器件的研究逐渐成为世界范围内广泛研究的热点。

太赫兹系统主要由辐射源、探测器件和各种功能器件组成。然而现有的太赫兹波滤波器大都存在着结构复杂、滤波性能低且单带滤波、成本高等诸多缺点。所以迫切需要提出结构简单紧凑、易加工、多带滤波的太赫兹波滤波器来支撑太赫兹波应用领域的发展。

发明内容

本实用新型提供一种基于圆环形太赫兹波双带带阻滤波器，技术方案如下：

基于圆环形太赫兹波双带带阻滤波器包括基底层和金属谐振层；其中金属谐振层由左矩形贴片、右矩形贴片、内圆环贴片和开口外圆环贴片组成；内圆环贴片和开口外圆环贴片的圆心位于滤波器的中心位置。

所述的基底层的材料硅，边长为80μm，厚度为300μm；所述的左矩形贴片和右矩形贴片的几何参数相同，材料都为纯铜，长为36.5μm，宽为6μm，厚度为0.2μm；所述的内圆环贴片的外径R2＝23μm，内径R1＝19μm，厚度为0.2μm；所述的开口外圆环贴片的外径R4＝33μm，内径R3＝27μm，厚度为0.2μm，开口宽度g＝7μm。

本实用新型具有结构简单紧凑、结构新颖、易加工、双带带组滤波等优点。

附图说明

图1是基于圆环形太赫兹波双带带阻滤波器三维仿真模型图；

图2是基于圆环形太赫兹波双带带阻滤波器俯视图；

图3是基于圆环形太赫兹波双带带阻滤波器仿真性能曲线图。

具体实施方式

如图1～图2所示，基于圆环形太赫兹波双带带阻滤波器它包括基底层和金属谐振层；其中金属谐振层由左矩形贴片1、右矩形贴片2、内圆环贴片3和开口外圆环贴片4组成；内圆环贴片和开口外圆环贴片的圆心位于滤波器的中心位置。

所述的基底层的材料硅，边长为80μm，厚度为300μm；所述的左矩形贴片1和右矩形贴片2的几何参数相同，材料都为纯铜，长为36.5μm，宽为6μm，厚度为0.2μm；所述的内圆环贴片3的外径R2＝23μm，内径R1＝19μm，厚度为0.2μm；所述的开口外圆环贴片4的外径R4＝33μm，内径R3＝27μm，厚度为0.2μm，开口宽度g＝7μm。

实施例1

基于圆环形太赫兹波双带带阻滤波器：

本实施例中，基于圆环形太赫兹波双带带阻滤波器的结构和各部件形状如上所述，因此不再赘述。但各部件的具体参数如下：基底层的边长为80μm，厚度为300μm；左矩形贴片和右矩形贴片长为36.5μm，宽为6μm，厚度为0.2μm；内圆环贴片的外径R2＝23μm，内径R1＝19μm，厚度为0.2μm；开口外圆环贴片的外径R4＝33μm，内径R3＝27μm，厚度为0.2μm，开口宽度g＝7μm。基于圆环形太赫兹波双带带阻滤波器的双带带组特性通过电磁仿真软件CST仿真得到，所得滤波器的性能曲线如附图3所示。由图可见，在0.57THz和1.65THz附近，太赫兹波的传输效率为-46dB和-37dB，太赫兹波基本被屏蔽，实现了良好的双带带组特性。