[实用新型]防止电流倒灌驱动电路

说明书

本实用新型涉及了一种防止电流倒灌驱动电路，包括外部设备的主控电路以及与所述主控电路电连接的控制电路；所述控制电路包括第三电阻、第四电阻、三极管、第二电阻、第一电阻、第一MOS管和第二MOS管；所述控制电路上设置有输入端IN和输出端OUT。该防止电流倒灌驱动电路通过控制电路采用第一MOS管和第二MOS管一正一反反向连接形成的开关达到预防电流倒灌的目的，有效解决了低电压充电的终端设备遇到一个输出高电压的充电器充电时出现倒灌异常现象，避免了损坏充电器或移动终端设备，甚至起火、爆炸；该电路设计简单，制造成本低，实用性强。

技术领域

本实用新型涉及充电设备电路技术领域，具体地，涉及防止电流倒灌驱动电路。

背景技术

随着目前手机等终端智能设备市场发展，这些设备的换代更新周期越来越短，竞争也日趋激烈，但由于目前这些设备的充电没有一个统一的标准，各家都有各家的充电标准和协议，有5V充电的，有 5-9V充电，有5-12V充电的，最新的充电已有5-20V充电。那么问题来了，用户就有可能有各种不同的终端智能设备和不同标准的充电器，当一个只支持低电压充电的终端设备遇到一个输出高电压的充电器充电时就会有可能出现倒灌异常现象，就有可能损坏设备，甚至出现起火、爆炸的危险。

中国专利的专利号为ZL201420258559.X的实用新型专利公开了防电流倒灌电路，该电路采用一个MOS管进行开关控制防止电流倒灌回流。虽然此电路有加入单个MOS管进行开关控制电流倒灌，但由于MOS中体二极管的存在还是会出现上述现象。

因此，需提供一种防止电流倒灌驱动电路，以解决现有技术的不足。

实用新型内容

为了克服现有技术的不足，本实用新型提供了一种防止电流倒灌驱动电路，该电路通过两个MOS管一正一反的连接，而MOS管的管体二极管在线路中是一正一反连接，从而达到防止电流倒罐的目的。

本实用新型的技术方案如下：

一种防止电流倒灌驱动电路，包括外部设备的主控电路以及与所述主控电路电连接的控制电路；所述控制电路包括第一电阻R1、第二电阻R2、第三电阻R3、第四电阻R4、三极管Q3、第一MOS管 Q1和第二MOS管Q2；所述控制电路上设置有输入端IN和输出端 OUT。

较优选地，所述外部设备的主控电路为充电器或移动终端设备的主控电路。

较优选地，所述主控电路上设有第二输入端CGATE，所述第二输入端CGATE电连接第三电阻R3的一端接口，第三电阻R3的另一端接口与所述三极管Q3的基极电连接，第四电阻R4的一端接口与所述三极管Q3的基极电连接，第四电阻R4另一端接口与所述三极管Q3的发射极电连接后再接地，所述三极管Q3的集电极与第二电阻R2电连接。

较优选地，所述三极管Q3为NPN型三极管。

较优选地，所述第一MOS管Q1包括第一控制端G、第一导通端D及次级第一导通端S；所述第二MOS管Q2包括第二控制端G、第二导通端D及次级第二导通端S。

较优选地，所述第一控制端G和所述第二控制端G为栅极，所述第一导通端D和所述第二导通端D为漏极，所述次级第一导通端 S和次级第二导通端S为源极。

较优选地，所述第一控制端G和所述第二控制端G电连接，所述第一导通端D与所述输入端IN电连接；所述次级第一导通端S与所述次级第二导通端S电连接并记为B点，所述第二导通端D与所述输出端OUT电连接。

较优选地，所述第一MOS管Q1和所述第二MOS管Q2选用为 P沟道MOSFET管。

较优选地，第二电阻R2并联于所述第一MOS管Q1和所述第二 MOS管Q2的控制端G的D点，第二电阻R2还与第一电阻R1串联连接于所述第一MOS管Q1的次级第一导通端S和所述第二MOS 管Q2的次级第二导通端S的1引脚。