[实用新型]多频点太赫兹波吸收器

说明书

本实用新型公开了一种多频点太赫兹波吸收器。它包括基底层、介质层和十字开槽金属层。其中，基底层位于最底层，介质层位于中间层，最上层则为十字开槽金属层。十字开槽金属由一片正方形金属块沿着两条对角线开槽形成。本实用新型具有吸收特性好，多频点吸收、结构简单、尺寸小等优点。

技术领域

本实用新型涉及吸收器，尤其涉及一种多频点太赫兹波吸收器。

背景技术

太赫兹技术是二十世纪80年代末发展起来的一种新技术。太赫兹波独特的频率范围(位于微波频段和光频段之间)覆盖了多数大分子物质的分子振动和转动光谱，因此多数大分子物质在太赫兹频段无论其吸收谱、反射谱还是发射谱都具有明显的指纹谱特性，这一点是微波所不具备的。太赫兹脉冲光源与传统光源相比具有很多独特的性质，如：瞬态性、低能性等，这些特点决定了太赫兹技术在工业应用领域、医学领域、通信领域以及生物等领域中有相当重要的应用前景。因此太赫兹技术以及太赫兹器件的研究逐渐成为世界范围内广泛研究的热点。

太赫兹系统主要由辐射源、探测器件和各种功能器件组成。然而现有的太赫兹波吸收器大都存在着结构复杂、单频点吸收、成本高等诸多缺点。所以迫切需要提出吸收特性好，多频点吸收、结构简单、尺寸小、便于加工制作的太赫兹波吸收器来支撑太赫兹波应用领域的发展。

发明内容

本实用新型提供多频点太赫兹波吸收器，技术方案如下：

多频点太赫兹波吸收器包括基底层、介质层和十字开槽金属层。其中，基底层位于最底层，介质层位于中间层，最上层则为十字开槽金属层，十字开槽金属由一片正方形金属块沿着两条对角线开槽形成。

所述的基底层材料为纯铜，电导率为5×107S/m，其长度p＝80，厚度为0.6μm。所述的介质层材料为砷化镓，其长度p＝80，厚度为0.6μm。所述的十字开槽金属层由一片正方形金属块沿着两条对角线开槽形成，其中，金属材料为纯铜，电导率为5×107S/m，正方形金属块的边长为L＝72μm，厚度为0.6μm，开槽宽度g＝2μm。

本实用新型具有吸收特性好、多频点吸收、结构简单、尺寸小等优点。

附图说明：

图1是多频点太赫兹波吸收器的CST三维建模图；

图2是多频点太赫兹波吸收器的主视图；

图3是多频点太赫兹波吸收器的仿真性能曲线图。

具体实施方式

如图1所示，多频点太赫兹波吸收器，包括基底层1、介质层2和十字开槽金属层3，基底层1位于最底层，介质层2位于中间层，最上层则为十字开槽金属层3，十字开槽金层3属由一片正方形金属块沿着两条对角线开槽形成。

所述的基底层材料为纯铜，电导率为5×107S/m，其长度p＝80，厚度为0.6μm；介质层材料为砷化镓，其长度p＝80，厚度为40μm。十字开槽金属层由一片正方形金属块沿着两条对角线开槽形成，其中，金属材料为纯铜，电导率为5×107S/m，正方形金属块的边长为L＝72μm，厚度为0.6μm，开槽宽度g＝2μm。

实施例1

多频点太赫兹波吸收器：

选择电导率为5×107S/m的纯铜为基底材料，介电常数为12.9+0.0774i的砷化镓作为介质材料。基底材料的厚度为0.6μm，长度为p＝80μm，砷化镓的长度也为p＝80μm，厚度为40μm。十字开槽金属层中，被开槽的正方形金属边长为72μm，厚度为0.6μm，开槽的宽度为2μm。多频点太赫兹波吸收器的各项性能指标以及结构几何参数都采用CST软件进行测试，在太赫兹波垂直入射时，所得吸收器的性能曲线如附图3所示。由图可见，在0.625THz、1.125THz、1.5THz、1.75THz四个频率点处都出现了95％左右的吸收峰值，实现的多频点吸收功能。