[实用新型]中压器件工作在低压下的低功耗高增益全差分运算放大器有效
| 申请号： | 201721218547.4 | 申请日： | 2017-09-20 |
| 公开（公告）号： | CN207218644U | 公开（公告）日： | 2018-04-10 |
| 发明（设计）人： | 陈思伟;余佳 | 申请（专利权）人： | 深圳贝特莱电子科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H03F3/45 | 分类号： | H03F3/45 |
| 代理公司： | 深圳市兰锋知识产权代理事务所(普通合伙)44419 | 代理人： | 曹明兰 |
| 地址： | 518000 广东省深圳市南山*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 器件 工作 压下 功耗 增益 全差分 运算放大器 | ||
1.一种中压器件工作在低压下的低功耗高增益全差分运算放大器，其特征在于，包括有第一PMOS管(MP0)、第二PMOS管(MP1)、第三PMOS管(MP2)、第四PMOS管(MP3)、第一NMOS管(MNA)和第二NMOS管(MNB)，所述第一PMOS管(MP0)的源极、第二PMOS管(MP1)的源极、第三PMOS管(MP2)的源极和第四PMOS管(MP3)的源极均连接于高电位，所述第一PMOS管(MP0)的栅极、第一PMOS管(MP0)的漏极、第二PMOS管(MP1)的漏极、第三PMOS管(MP2)的栅极和第一NMOS管(MNA)的漏极相互连接，所述第四PMOS管(MP3)的栅极、第四PMOS管(MP3)的漏极、第三PMOS管(MP2)的漏极、第二PMOS管(MP1)的栅极和第二NMOS管(MNB)的漏极相互连接，所述第一NMOS管(MNA)的源极和第二NMOS管(MNB)的源极用于连接低电位，所述第一NMOS管(MNA)的栅极和第二NMOS管(MNB)的栅极分别作为所述全差分运算放大器的两个输入端，所述第一NMOS管(MNA)的漏极和第二NMOS管(MNB)的漏极分别作为所述全差分运算放大器的两个输出端。
2.如权利要求1所述的中压器件工作在低压下的低功耗高增益全差分运算放大器，其特征在于，还包括有第三NMOS管(MN0)，所述第一NMOS管(MNA)的源极和第二NMOS管(MNB)的源极均连接于第三NMOS管(MN0)的漏极，所述第三NMOS管(MN0)的源极接地，所述第三NMOS管(MN0)的栅极用于接入控制信号。
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