[实用新型]一种同轴全波段带制冷10G光器件有效
申请号: | 201721197514.6 | 申请日: | 2017-09-19 |
公开(公告)号: | CN207183792U | 公开(公告)日: | 2018-04-03 |
发明(设计)人: | 阳曦;卢刚;赵廷全 | 申请(专利权)人: | 广东瑞谷光网通信股份有限公司 |
主分类号: | H01S5/024 | 分类号: | H01S5/024 |
代理公司: | 东莞卓为知识产权代理事务所(普通合伙)44429 | 代理人: | 何树良 |
地址: | 523000 广东*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 同轴 波段 制冷 10 器件 | ||
技术领域
本实用新型涉及光学通信技术领域,尤其涉及一种同轴全波段带制冷10G光器件。
背景技术
工业级光器件是应用于相对较恶劣的环境中的光器件,其工作环境温度需在零下40度和零上85度之间,然而温度对常规的半导体激光器影响有很大的影响,半导体激光器的输出波长和功率都会随着温度的变化发生改变,相对的,半导体激光器的工作寿命也随着温度变化而改变。
为了使得半导体激光器能够在恶劣的温度下工作,一般会在激光器内加设温度控制器,然而现有的激光发射器普遍采用的封装结构存在体积比较大、封装成本相对较高、工艺复杂的问题,并且与采用同轴封装工艺的设备无法兼容装配,在光器件小型化的今天,该封装结构并不能满足所有光器件的需求。
发明内容
本实用新型的目的在于针对现有技术的不足提供一种同轴全波段带制冷10G光器件,本实用新型将的封装结构设计为同轴型,缩小了结构体积,降低封装成本,简化封装工艺,使得该光接收组件能够与采用同轴封装工艺的设备兼容装配;另外,通过TEC温度控制器控制DFB激光器温度,使得DFB激光器支持零下40度至零上85摄氏度的工作温度。
本实用新型是通过以下技术方案来实现的,一种同轴全波段带制冷10G光器件,包括圆形管体,所述圆形管体的一端设置有光接口端,所述圆形管体的另一端设置有激光组件,所述光接口端、圆形管体与激光组件位于同一轴线上,所述激光组件包括与圆形管体连接的底座,所述底座的一端设置有管帽,所述管帽设置于圆形管体内,所述管帽与底座装配后形成一空腔,所述空腔内设置有DFB激光器和TEC温度控制器,所述管帽内设置有第一容置槽,所述第一容置槽内设置有透镜,所述DFB激光器和透镜位于同一直线上。
作为优选,所述DFB激光器设置于TEC温度控制器的一端,所述TEC温度控制器的另一端与底座连接。
作为优选,所述光接口端包括金属环,所述金属环的一端与圆形管体连接,所述金属环的另一端套设有焊接基座,所述焊接基座内设置有第二容置槽,所述第二容置槽内设置有隔离器。
作为优选,所述光接口端还包括金属基座,所述金属基座包括第一连接部和第二连接部,所述金属基座的第一连接部套设有金属壳体,所述金属基座的第二连接部与焊接基座套接,所述金属壳体内部设置有高精度光口插拔环和高精度光口插芯,所述高精度光口插芯的一端套设于所述高精度光口插拔环的内部,所述高精度光口插芯的另一端穿过所述金属基座的第二连接部设置于焊接基座内。
作为优选,所述高精度光口插芯和隔离器位于同一轴线上。
作为优选,所述金属环与焊接基座过盈配合。
作为优选,所述金属基座的第一连接部与金属壳体过盈配合;所述金属基座的第二连接部与焊接基座过盈配合。
作为优选,所述高精度光口插芯的一端与高精度光口插拔环过盈配合。
作为优选,所述底座的另一端连接有柔性焊板。
本实用新型的有益效果:一种同轴全波段带制冷10G光器件,包括圆形管体,所述圆形管体的一端设置有光接口端,所述圆形管体的另一端设置有激光组件,所述光接口端、圆形管体与激光组件位于同一轴线上,所述激光组件包括与圆形管体连接的底座,所述底座的一端设置有管帽,所述管帽设置于圆形管体内,所述管帽与底座装配后形成一空腔,所述空腔内设置有DFB激光器和TEC温度控制器,所述管帽内设置有第一容置槽,所述第一容置槽内设置有透镜,所述DFB激光器和透镜位于同一直线上,本实用新型将的封装结构设计为同轴型,缩小了结构体积,降低封装成本,简化封装工艺,使得该光接收组件能够与采用同轴封装工艺的设备兼容装配;另外,通过TEC温度控制器控制DFB激光器温度,使得DFB激光器支持零下40度至零上85摄氏度的工作温度。
附图说明
图1为本实用新型的立体结构示意图。
图2为本实用新型的剖面结构示意图。
具体实施方式
下面结合附图1至附图2,以及具体实施方式对本实用新型做进一步地说明。
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