[实用新型]稳压电路板

说明书

技术领域

本实用新型涉及一种电路板，特别是涉及一种稳压电路板。

背景技术

传统电路中的稳压电路受其负荷投切结构影响，稳压过程中电流电压会产生过电压现象，过电压是指工频下交流电压均方根值升高，超过额定值的10%，并且持续时间大于1分钟的长时间电压变动现象，这会严重影响用电电器的用电安全，严重时甚至会产生用电安全事故。

发明内容

本实用新型所要解决的技术问题是提供一种稳压电路板，其结构简单，元器件成本低廉，能够为电路提供稳定可靠的输出电压，延长电器的使用寿命。

本实用新型是通过下述技术方案来解决上述技术问题的：一种稳压电路板，其包括稳压主电路和控制子电路，控制子电路包括控制器和晶体管开关，晶体管开关的输入端与电路外部的传输电压电性连接，晶体管开关的输出端与稳压主电路电性连接，晶体管开关的信号端与控制器电性连接，控制器内设有模拟电路；稳压主电路包括第一放大器、第二放大器、第一型金属氧化物半导体晶体管、第二型金属氧化物半导体晶体管、传输网块、反馈电路，第一型金属氧化物半导体晶体管的输入端与晶体管开关的输出端电性连接，第一型金属氧化物半导体晶体管的信号端上并联有传输网块一端和第一放大器的信号端，第一放大器的负极端与外部参考电压ref电性连接，第一放大器的正极端与第二放大器的正极端一同并联至反馈电路一端上，第二放大器的负极端与外部参考电压ref电性连接，传输网块另一端上并联有第二放大器的信号端和第二型金属氧化物半导体晶体管的信号端，第二型金属氧化物半导体晶体管的输入端与电路外部的传输电压电性连接，第一型金属氧化物半导体晶体管的输出端、第二型金属氧化物半导体晶体管的输出端、反馈电路另一端均并联至稳压主电路外部的负载上。

优选地，所述第一放大器的信号端和第二型金属氧化物半导体晶体管的信号端之间设有测试电压端。

优选地，所述控制器设有轻载模式和重载模式。

本实用新型的积极进步效果在于：本实用新型稳压电路板结构简单，元器件成本低廉，能够为电路提供稳定可靠的输出电压，延长电器的使用寿命。

附图说明

图1为本实用新型稳压电路板的电路图。

具体实施方式

下面结合附图给出本实用新型较佳实施例，以详细说明本实用新型的技术方案。

如图1所示，本实用新型稳压电路板包括稳压主电路100和控制子电路200，控制子电路200包括控制器L200和晶体管开关P1，晶体管开关P1的输入端S1与电路外部的传输电压V1电性连接，晶体管开关P1的输出端S2与稳压主电路100电性连接，晶体管开关P1的信号端S3与控制器L200电性连接，控制器L200内设有模拟电路K200；稳压主电路100包括第一放大器Q1、第二放大器Q2、第一P型金属氧化物半导体晶体管P2、第二P型金属氧化物半导体晶体管P3、传输网块M1、反馈电路N1，第一P型金属氧化物半导体晶体管P2的输入端S1与晶体管开关P1的输出端S2电性连接，第一P型金属氧化物半导体晶体管P2的信号端S3上并联有传输网块M1一端和第一放大器Q1的信号端，第一放大器Q1的负极端与外部参考电压Vref电性连接，第一放大器Q1的正极端与第二放大器Q2的正极端一同并联至反馈电路N1一端上，第二放大器Q2的负极端与外部参考电压Vref电性连接，传输网块M1另一端上并联有第二放大器Q2的信号端和第二P型金属氧化物半导体晶体管P3的信号端S3，第二P型金属氧化物半导体晶体管P3的输入端S1与电路外部的传输电压V1电性连接，第一P型金属氧化物半导体晶体管P2的输出端S2、第二P型金属氧化物半导体晶体管P3的输出端S2、反馈电路N1另一端均并联至稳压主电路100外部的负载J1上。

第一放大器Q1的信号端和第二P型金属氧化物半导体晶体管P3的信号端S3之间设有测试电压端V2，测试电压端V2用于测试并记录第一放大器Q1的信号端和第二P型金属氧化物半导体晶体管P3的信号端S3之间的电压数据，这样根据电压数据分析并监测稳压电路板的稳压效果。

控制器L200设有轻载模式和重载模式，重载模式时控制器L200对晶体管开关P1的信号端S3输出电平信号，晶体管开关P1的输入端S1导通输出端S2，轻载模式时控制器L200不对晶体管开关P1的信号端S3输出电平信号，晶体管开关P1的输入端S1不导通输出端S2，这样通过控制器L200控制稳压主电路100的工作状态。