[实用新型]一种集成光学强电场传感器封装壳

说明书

技术领域

本实用新型涉及电场监测技术领域，尤其涉及一种集成光学强电场传感器封装壳。

背景技术

电场测量在诸多科学研究和工程技术领域都具有十分重要的意义，目前，光学传感与测量技术的迅速发展，为电场测量提供了有效手段，其中，集成光学强电场传感器与传统的电气电子式强电场传感器相比，由于其具有绝缘性能好、反应速度快、安全性高、体积小、重量轻等优点，已经逐渐成为电场测量领域的主流应用。

现有的集成光学强电场传感器主要包括晶片单元、光纤和封装结构，但使用现有的封装结构封装晶片单元和光纤时，一般均会将光纤的尾纤绷直水平伸出封装结构，当温度变化时，光纤的尾纤就会发生热胀冷缩，从而导致光纤对与晶片单元中波导基片上的光波导的耦合点产生应力，进而影响集成光学强电场传感器的稳定性。

实用新型内容

本实用新型的目的在于提供一种集成光学强电场传感器封装壳，用于避免光纤的尾纤的热胀冷缩对集成光学强电场传感器的性能产生影响，从而提高集成光学强电场传感器的稳定性。

为达到上述目的，本实用新型提供一种集成光学强电场传感器封装壳，采用如下技术方案：

该集成光学强电场传感器封装壳包括：封装在集成光学强电场传感器外的长方体绝缘壳体，所述长方体绝缘壳体的中心线与所述集成光学强电场传感器中波导基片上的光波导的中心线重合，所述长方体绝缘壳体的两个相对的侧面各设有一个光纤出入套孔，各所述光纤出入套孔的中心线与所述长方体绝缘壳体的中心线不重合。

与现有技术相比，本实用新型提供的集成光学强电场传感器封装壳具有以下有益效果：

在本实用新型提供的集成光学强电场传感器封装壳中，长方体绝缘壳体的中心线与集成光学强电场传感器中波导基片上的光波导的中心线重合，长方体绝缘壳体的两个相对的侧面各设有一个光纤出入套孔，且各光纤出入套孔的中心线与长方体绝缘壳体的中心线不重合，因此，上述集成光学强电场传感器封装壳中，集成光学强电场传感器的光纤的尾纤的中心线和与光波导耦合的光纤的中心线就不会重合，与光纤的尾纤的中心线和与光波导耦合的光纤的中心线重合相比，光纤的尾纤与该光纤与光波导的耦合点之间的距离就会增大，因此，当温度变化时，即使该光纤的尾纤会发生热胀冷缩，但由于光纤的尾纤与该光纤与光波导的耦合点之间的距离较长，光纤的尾纤的热胀冷缩并不会对该尾纤与光波导的耦合点产生应力，进而避免了光纤的尾纤的热胀冷缩对集成光学强电场传感器的性能产生影响，从而提高了集成光学强电场传感器的稳定性。

附图说明

为了更清楚地说明本实用新型实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本实用新型的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。

图1为本实用新型实施例提供的集成光学强电场传感器封装壳的结构示意图；

图2为本实用新型实施例提供的封装的集成光学强电场传感器的结构示意图。

附图标记说明：

1—长方体绝缘壳体，2—波导基片，

3—光波导，4—光纤出入套孔，

5—光纤，6—绝缘套管，

7—光纤护套，8—垫片。

具体实施方式

下面将结合本实用新型实施例中的附图，对本实用新型实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例是本实用新型一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本实用新型中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本实用新型保护的范围。

如图1和图2所示，本实用新型实施例提供一种集成光学强电场传感器封装壳，该集成光学强电场传感器封装壳包括：封装在集成光学强电场传感器外的长方体绝缘壳体1，长方体绝缘壳体1的中心线与集成光学强电场传感器中波导基片2上的光波导3的中心线重合，长方体绝缘壳体1的两个相对的侧面各设有一个光纤出入套孔4，各光纤出入套孔4的中心线与长方体绝缘壳体1的中心线不重合。

示例性地，如图2所示方位，长方体绝缘壳体1封装在集成光学强电场传感器外，长方体绝缘壳体1的中心线与波导基片2上的光波导3的中心线重合，长方体绝缘壳体1的左右两个侧面上的光纤出入套孔4的中心线与长方体绝缘壳体1的中心线不重合，从光纤出入套孔4伸出的光纤5的尾纤的中心线和与光波导耦合的光纤5的中心线也不重合。