[实用新型]一种低待机功耗的阻容降压电路

权利要求书

1.一种低待机功耗的阻容降压电路，其特征在于，由以下电路构成：稳压管ZD1阴极和电阻R1一端为交流输入端；电阻R1另一端、电阻R2一端均与电容C1一端连接；电阻R2另一端与电阻R3一端连接；电阻R3另一端、电容C1另一端、稳压管ZD1阳极均与二极管D1阴极连接；

稳压管ZD1阴极、电容C2阳极、继电器K1开关一端、继电器K1线圈一端、电阻R4一端、二极管D2阴极均与三极管Q2发射极连接；所述继电器K1开关另一端与负载连接；三极管Q2集电极、二极管D2阳极、电阻R4另一端、继电器K1线圈另一端均与电阻R5一端连接；电阻R5另一端、电容C3阳极、稳压管ZD2阴极、电容C4一端均与第一电源连接；三极管Q2基极与三极管Q1集电极之间连接有电阻R7；三极管Q1的基极与电阻R6一端连接；所述三极管Q1发射极接地；电阻R8一端与第一电源连接；所述电阻R8另一端与电阻R6另一端连接于单片机同一端口；所述二极管D1阳极、电容C2阴极、电容C3阴极、稳压管ZD2阳极和电容C4另一端均接地连接。

2.根据权利要求1所述的低待机功耗的阻容降压电路，其特征在于：所述继电器K1的型号为HF7520。

3.根据权利要求1所述的低待机功耗的阻容降压电路，其特征在于：所述三极管Q1为NPN型、三极管Q2为PNP型。

4.根据权利要求1所述的低待机功耗的阻容降压电路，其特征在于：二极管D2的型号为IN4148。

5.根据权利要求1所述的低待机功耗的阻容降压电路，其特征在于：所述稳压管ZD2的型号为IN4733。

6.根据权利要求1所述的低待机功耗的阻容降压电路，其特征在于：所述电容C2的参数为47μF/35V；电容C3的参数为100μF/10V、电容C4的电容值为0.1μF。

7.根据权利要求1-6任一项所述的低待机功耗的阻容降压电路，其特征在于：电阻R4的阻值为3.9KΩ；电阻R5的阻值为100Ω；电阻R6的参数为3.3KΩ 0805 5％；电阻R7的阻值为10KΩ；电阻R8参数为3.3KΩ 0805 5％。