[实用新型]一种温度检测系统有效
申请号: | 201720973758.2 | 申请日: | 2017-08-04 |
公开(公告)号: | CN207335903U | 公开(公告)日: | 2018-05-08 |
发明(设计)人: | 刘永建;陈祝;彭映杰 | 申请(专利权)人: | 成都信息工程大学 |
主分类号: | G01K7/21 | 分类号: | G01K7/21 |
代理公司: | 北京元本知识产权代理事务所 11308 | 代理人: | 秦力军 |
地址: | 610000 四川省成都*** | 国省代码: | 四川;51 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 温度 检测 系统 | ||
本实用新型涉及一种温度检测系统,其包括可调基准电压及恒流源驱动电路、三线制Pt100A铂电阻接口电路、温度补偿放大电路、压控滤波电路和A/D转换器;所述可调基准电压及恒流源驱动电路分别电连接所述三线制Pt100A铂电阻接口电路和A/D转换器,所述三线制Pt100A铂电阻接口电路电连接所述温度补偿放大电路,所述温度补偿放大电路电连接所述压控滤波电路,所述压控滤波电路电连接所述A/D转换器。本实用新型结构设计合理,测量精度高、误差小,具有良好的可靠性、稳定性和实用性。
技术领域
本实用新型涉及温度检测技术领域,具体涉及一种温度检测系统。
背景技术
温度检测装置在海洋、煤矿、地震环境等温度检测应用广泛,随着科学技术的发展,对温度测量精度的要求也越来越精确。金属铂电阻因为具有高稳定性、高精度、响应快、抗震性好及高性能价格比等诸多优点,作为测热元件广泛应用于生产,科研等行业。A级铂电阻(Pt100A)测温误差低至于±(0.15+0.002
发明内容
为了解决上述问题,本实用新型提供了一种结构设计合理,测量精度高、误差小,具有良好的可靠性、稳定性和实用性的温度检测系统。
本实用新型的技术方案如下:
上述的温度检测系统,包括可调基准电压及恒流源驱动电路、三线制Pt100A铂电阻接口电路、温度补偿放大电路、压控滤波电路和A/D转换器;所述可调基准电压及恒流源驱动电路分别电连接所述三线制Pt100A铂电阻接口电路和A/D转换器,所述三线制Pt100A铂电阻接口电路电连接所述温度补偿放大电路,所述温度补偿放大电路电连接所述压控滤波电路,所述压控滤波电路电连接所述A/D转换器。
所述温度检测系统,其中:所述可调基准电压及恒流源驱动电路是由电阻R1~R6、三极管Q1~Q2、MOS场效应管M1~M5、运算放大器OP1~OP2连接组成;所述三极管Q1~Q2采用PNP型三极管;所述MOS场效应管M1的漏极和衬底连接电源VDD,栅极连接所述运算放大器OP1的输出端,源极依次串接所述电阻R3和R1并连接至所述三极管Q1的发射极;所述三极管Q1的基极和集电极接地;所述MOS场效应管M2的漏极和衬底连接电源VDD,栅极连接所述运算放大器OP1的输出端,源极连接所述电阻R2并通过所述电阻R2连接至所述三极管Q2的发射极;所述三极管Q2的基极和集电极接地;所述运算放大器OP1的同相输入端连接于所述电阻R1与电阻R3之间,反相输入端连接于所述三极管Q2的发射极;所述MOS场效应管M3和M4的漏极和衬底均连接电源VDD,所述MOS场效应管M3的栅极与所述MOS场效应管M4的栅极相连,所述MOS场效应管M5的漏极分别连接所述MOS场效应管M3的源极和栅极,所述MOS场效应管M5的栅极连接所述运算放大器OP2的输出端,所述MOS场效应管M5的源极依次串接所述电阻R4、R5和R6并接地,所述MOS场效应管M5的衬底接地。
所述温度检测系统,其中:所述三线制Pt100A铂电阻接口电路是由电阻R7~R13、铂电阻Pt、运算放大器OP3、电容C1组成;所述电阻R7一端连接所述运算放大器OP3的同相输入端,另一端依次连接所述铂电阻Pt和电阻R9并接地;所述电阻R8一端连接于所述电阻R7与铂电阻Pt之间,另一端连接所述电阻R10并通过所述电阻R10连接所述运算放大器OP3的反相输入端;所述电阻R12一端连接所述运算放大器OP3的输出端,另一端连接所述电阻R13并通过所述电阻R13接地;所述电阻R11一端连接所述运算放大器OP3的反相输入端,另一端连接于所述电阻R12与电阻R13之间;所述电容C1一端连接所述运算放大器OP3的反相输入端,另一端连接所述运算放大器OP3的输出端;所述MOS场效应管M4的源极连接于所述电阻R8与电阻R10之间。
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