[实用新型]用于在减薄抛光后进行取片的装置

说明书

技术领域

本实用新型特别涉及一种用于在减薄抛光后进行取片的装置，属于半导体制造技术领域。

背景技术

减薄抛光在半导体制造工艺流程中极为重要且必须使用的工艺，通过此工艺达到降低芯片欧姆接触的电阻，减少器件发热，提高器件机械性能的目的；该步工艺的优劣直接关系到半导体器件的成品率及后续成品的可靠性，通常器件要求将晶元的厚度从几百微米以上减薄至一百微米附近或者更薄。目前，半导体制造工艺流程中通常是在热板融化蜡，直接使用外力从陶瓷盘上取片，由于晶元太薄，此种方式容易导致片子碎裂，给后道工序带来难度，进而降低了器件的成品率和可靠性。

实用新型内容

本实用新型的主要目的在于提供一种用于在减薄抛光后进行取片的装置，以克服现有技术的不足。

为实现前述实用新型目的，本实用新型采用的技术方案包括：

本实用新型实施例提供了一种用于在减薄抛光后进行取片的装置，包括上端具有开口部的容器和柔性垫片，所述容器中盛装有能够溶解抛光蜡的溶剂，所述柔性垫片的至少局部区域是平展部，所述平展部铺设于所述溶剂内，所述容器开口部的尺寸大于或等于负载于研磨盘上的晶片的直径，但小于所述研磨盘的直径，当将负载有晶片的研磨盘倒置于所述容器上端的开口部上时，所述晶片整体均位于所述容器内的液面下方，但位于所述平展部上方。

进一步的，所述晶片通过抛光蜡层与研磨盘连接，并且当将负载有晶片的研磨盘倒置于所述容器上端的开口部上时，所述晶片整体及至少是所述抛光蜡层的局部区域均位于所述容器内的液面下方。

进一步的，当将负载有晶片的研磨盘倒置于所述容器上端的开口部上时，所述晶片及抛光蜡层均整体位于所述容器内的液面下方。

进一步的，所述上端具有开口部的容器采用结晶皿。

进一步的，所述柔性垫片采用无尘纸。

更进一步的，所述柔性垫片整体均平展铺设于所述容器内的液面下方。

更进一步的，所述上端具有开口部的容器被置于一石英缸内。

与现有技术相比，本实用新型的优点包括：本实用新型提供的减薄抛光后使用有机溶剂进行间接取片的方法避免直接通过外力从陶瓷盘上拿片，使得减薄抛光后的晶片自然释放，且不会导致晶片裂片、碎片。

附图说明

图1是本实用新型实施例1中用于在减薄抛光后进行取片的装置结构示意图；

图2是是本实用新型实施例1中负载有晶片的研磨盘的结构示意图；

图3是是本实用新型实施例1中的取片过程示意图；

图4是是本实用新型实施例1中的取片完成的结构示意图；

附图标记说明：1-结晶皿，2-无尘纸，3-石英缸，11-研磨盘，12-抛光蜡层，13-晶片。

具体实施方式

鉴于现有技术中的不足，本案发明人经长期研究和大量实践，得以提出本实用新型的技术方案。如下将对该技术方案、其实施过程及原理等作进一步的解释说明。

本实用新型实施例提供了一种用于在减薄抛光后进行取片的装置，包括上端具有开口部的容器和柔性垫片，所述容器中盛装有能够溶解抛光蜡的溶剂，所述柔性垫片的至少局部区域是平展部，所述平展部铺设于所述溶剂内，所述容器开口部的尺寸大于或等于负载于研磨盘上的晶片的直径，但小于所述研磨盘的直径，当将负载有晶片的研磨盘倒置于所述容器上端的开口部上时，所述晶片整体均位于所述容器内的液面下方，但位于所述平展部上方。

进一步的，所述晶片通过抛光蜡层与研磨盘连接，并且当将负载有晶片的研磨盘倒置于所述容器上端的开口部上时，所述晶片整体及至少是所述抛光蜡层的局部区域均位于所述容器内的液面下方。

进一步的，当将负载有晶片的研磨盘倒置于所述容器上端的开口部上时，所述晶片及抛光蜡层均整体位于所述容器内的液面下方。

进一步的，所述上端具有开口部的容器采用结晶皿。

进一步的，所述柔性垫片采用无尘纸。

更进一步的，所述柔性垫片整体均平展铺设于所述容器内的液面下方。

更进一步的，所述上端具有开口部的容器被置于一石英缸内。

本实用新型提供的减薄抛光后使用有机溶剂进行间接取片的方法避免直接通过外力从陶瓷盘上拿片，使得减薄抛光后的晶片自然释放，且不会导致晶片裂片、碎片。

实施例1