[实用新型]一种高压光遥控点火驱动器有效
申请号: | 201720916109.9 | 申请日: | 2017-07-26 |
公开(公告)号: | CN206957854U | 公开(公告)日: | 2018-02-02 |
发明(设计)人: | 古亮;尹泽龙;孙军;陈龙;贺娟;陈新岗;李辉;胡建军;许洪斌 | 申请(专利权)人: | 重庆理工大学 |
主分类号: | F02P9/00 | 分类号: | F02P9/00 |
代理公司: | 重庆博凯知识产权代理有限公司50212 | 代理人: | 孙根 |
地址: | 400054 重*** | 国省代码: | 重庆;85 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 压光 遥控 点火 驱动器 | ||
技术领域
本实用新型涉及一种点火驱动装置,尤其涉及一种高压光遥控点火驱动器。
背景技术
电火花开关是冲击电压发生器、冲击电流发生器等一些高能设备中最的关键部件之一,其性能对高能设备的性能起着重要的作用。场畸变开关由于工作范围大,寿命长通常作为高能设备的触发开关。
现有电火花开关因为其结构简单、容易操作等优点在高电压设备和电力电子系统中应用广泛,且种类繁多。最简单的电火花开关由两个球头电极和绝缘气体组成的两电极开关,利用过电压原理导通。如果需要对开关导通进行精确控制则需要用到触发驱动。电触发和激光触发驱动是控制电火花开关导通的两种主要方式。激光触发驱动具有延时、抖动小的特点,但是其附属设备多,结构复杂,成本较高。在高压发生器中主要使用的是电触发驱动;但现有的电出发驱动体积大,其元气件的性能受脉冲大电流的干扰或者影响,甚至受过电压威胁而绝缘击穿等,并且稳定性差,安全程度较低,这严重限制了其在高能设备中的应用。因此需要开发一种成本低,稳定性,安全程度、隔离效果等更好的电火花开关。
实用新型内容
针对现有技术存在的上述不足,本实用新型的目的在于提供一种高压光遥控点火驱动器,体积更小,安全性更高,并且能够可靠、稳定地输出电压。
为了解决上述技术问题,本实用新型采用的技术方案是这样的:一种高压光遥控点火驱动器,包括震荡模块、升压模块、整流模块、稳压模块、触发主回路;其特征在于:所述震荡模块包括直流电源E及三极管VT、光敏电阻R1及可调电阻R;所述升压模块包括铁芯T1、线圈L1、L2、L3和L4,所述线圈L1、L2、L3和L4均套设于铁芯T1上;所述整流模块包括二极管D1、光敏电阻R2、触发管DB3以及晶闸管SCR;所述稳压模块包括电容C1、C2、二级管D2和稳压二极管VD;所述触发主回路包括充电电容C、铁芯T2以及线圈L5、L6,所述线圈L5、L6套设于铁芯T2上;
所述直流电源E的正极经开关S后与三极管VT的发射极相连,三极管VT的基极经线圈L1、光敏电阻R1和可调电阻R后与直流电源的负极相连;该三级管VT的集电极经线圈L2后与直流电源E的负极相连;线圈L3的一端与二极管D1的正极相连,二极管D1的负极同时与充电电容C的一端和晶闸管SCR的阳极相连,该充电电容C的另一端与线圈L5的一端相连;线圈L4的一端与二极管D2的正极相连,该稳压二极管D的负极与电容C1的一端相连,所述稳压二极管VD与电容C1并联;同时,二极管D2的负极经光敏电阻R2和触发管DB3后与晶闸管SCR的控制极相连,所述电容C2与触发管DB3并联;
线圈L3、L4、L5的另一端、电容C1的另一端、以及晶闸管SCR的阴极相连在一起。
本高压光遥控点火驱动器,可采用低压电池E作为点火驱动器的电源,依次通过光控制产生自激震荡完成高频逆变,然后升压整流,对高压大电容充电,在外部光触发控制晶匝管的门极导通时,充电电容对高压脉冲变压器原边放电,则在高压脉冲变压器副边产生一上万伏特的高压点火脉冲。用此高压点火脉冲去激励某间隙,可以控制其导通。
外部光触发控制晶匝管的门极导通的电路,采用稳压二极管进行稳压,使得从光控制信号给出到DB3动作的延迟时间稳定,抑制了驱动器和高能火花开关的抖动。
当需要开关动作时,首先光敏电阻R1控制低压自震和高频逆变,完成高压电容C的充电,然后光敏电阻R2控制高压电容C2的充电和DB3的触发;这两个光敏电阻相互配合,能有效利用的电池E的电能。
进一步地,所述直流电源E采用5V稳压直流电源;三极管VT采用硅三极管3AX81,可调电阻R选用91~470Ω可调电阻;光敏电阻R1采用5539光敏电阻。
进一步地,所述铁芯T1采用E型5×7铁芯;线圈L1采用Φ0.17mm高强度漆包线,匝数为30匝;线圈L2采用Φ0.17mm高强度漆包线,匝数为60匝;线圈L3采用Φ0.06mm高强度漆包线,匝数为3500匝;线圈L4采用Φ0.06mm高强度漆包线,匝数为3500匝。
进一步地,所述二极管D1采用2DG系列高压硅粒,其反压要求大于250V;电容C2采用275J的金属膜电容;晶闸管SCR采用kp20A晶闸管。
进一步地,所述电容C1采用275J的金属膜电容;稳压二级管VD采用51V的稳压二极管。
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