[实用新型]一种可提高音质的扬声器磁路结构有效

专利信息
申请号: 201720868766.0 申请日: 2017-07-17
公开(公告)号: CN207010965U 公开(公告)日: 2018-02-13
发明(设计)人: 沈一伟;吴振兴 申请(专利权)人: 重庆市冠音泰科技有限公司
主分类号: H04R9/06 分类号: H04R9/06;H04R9/02
代理公司: 厦门智慧呈睿知识产权代理事务所(普通合伙)35222 代理人: 郭福利,魏思凡
地址: 404100*** 国省代码: 重庆;85
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摘要:
搜索关键词: 一种 提高 音质 扬声器 磁路 结构
【权利要求书】:

1.一种可提高音质的扬声器磁路结构,其特征在于,包括音圈、华司、磁铁和磁导杯,所述华司设有第一容纳腔和边缘结构,所述第一容纳腔用于容纳所述磁铁,所述磁铁侧面设有至少一组凹槽,每一组凹槽数量为两个且正对设置,所述第一容纳腔内表面设有与所述凹槽数量相同且形状相匹配的弹性凸起;所述边缘结构为圆环状,所述边缘结构位于所述第一容纳腔开口处并向外部均匀延伸;所述磁导杯具有第二容纳腔,所述第二容纳腔内径与所述边缘结构的外径相同,所述第二容纳腔用于容纳所述华司,所述第一容纳腔的外表面、所述边缘结构和所述第二容纳腔的内表面共同形成一个容纳空间,所述音圈置于所述容纳空间内。

2.根据权利要求1所述的磁路结构,其特征在于,所述边缘结构内外径的差值与所述音圈内外径的差值之比为1.2-2。

3.根据权利要求1所述的磁路结构,其特征在于,所述边缘结构内外径的差值与所述音圈内外径的差值之比为1.5。

4.根据权利要求1所述的磁路结构,其特征在于,所述凹槽为两组。

5.根据权利要求4所述的磁路结构,其特征在于,所述两组凹槽相互垂直设置。

6.根据权利要求1所述的磁路结构,其特征在于,所述凹槽的深度为0.5mm-1.5mm。

7.根据权利要求1所述的磁路结构,其特征在于,所述边缘结构具有至少一组缺口,每一组缺口数量为两个且正对设置,所述磁导杯内表面下端设有与所述缺口数量相同且形状相匹配的定位端。

8.根据权利要求7所述的磁路结构,其特征在于,所述缺口为两组。

9.根据权利要求8所述的磁路结构,其特征在于,所述两组缺口相互垂直设置。

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