[实用新型]变频器充电装置

权利要求书

1.一种用于变频器的充电装置，其中，所述变频器包括整流桥(110)、母线电容(120)，所述整流桥(110)的输入端连接外部充电电源(200)，所述整流桥(110)的输出端连接所述母线电容(120)，其特征在于，所述充电装置包括：

间歇充电单元(300)，与所述整流桥(110)和所述母线电容(120)相连接，所述间歇充电单元(300)间歇性地导通所述外部充电电源(200)和所述母线电容(120)。

2.如权利要求1所述的充电装置，其特征在于，所述间歇充电单元(300)进一步包括：

可控硅控制电路(311)、输入相上升下降检测电路(312)和输入相电压检测电路(313)，所述输入相上升下降检测电路(312)的输出端与所述输入相电压检测电路(313)的输出端相连后进一步与所述可控硅控制电路(311)的输入端相连，

其中，所述可控硅控制电路(311)与所述整流桥(110)连接，用于控制所述整流桥(110)的通断；

其中，所述输入相上升下降检测电路(312)检测输入相电压(L_in)，所述输入相电压(L_in)为所述外部充电电源(200)中的一个相位的电压，

其中，当所述输入相电压(L_in)处于上升沿时，使所述可控硅控制电路(311)断开；

其中，所述输入相电压检测电路(313)包括一稳压二级管(D1-1)，当所述输入相电压(L_in)处于下降沿时且当所述输入相电压(L_in)与所述母线电容(120)之间的电压差小于所述稳压二级管(D1-1)的反向电压时，允许所述可控硅控制电路(311)导通。

3.如权利要求2所述的充电装置，其特征在于，所述可控硅控制电路(311)进一步包括：

第1-1三极管(V1-1)和可控硅驱动电源(P1),所述第1-1三极管(V1-1)的集电极连接所述可控硅驱动电源(P1)，所述第1-1三极管(V1-1)的发射极连接所述整流桥(110)中的与所述输入相电压(L_in)相对应的可控硅二极管，用于控制所述可控硅二极管的通断。

4.如权利要求2所述的充电装置，其特征在于，所述输入相上升下降检测电路(312)进一步包括：

第1-1比较器(U1-1)、第1-1电容(C1-1),所述第1-1比较器(U1-1)的第一输入端连接所述外部充电电源(200)的输入相电压(L_in)，所述第1-1比较器(U1-1)的第二输入端连接所述第1-1电容(C1-1)的一端，所述第1-1电容(C1-1)的另一端连接所述外部充电电源(200)的输入相电压(L_in)，所述第1-1比较器(U1-1)的输出端连接所述可控硅控制电路(311)。

5.如权利要求3所述的充电装置，其特征在于，所述输入相电压检测电路(313)进一步包括：第2-1三极管(V2-1)，所述第2-1三极管(V2-1)的基极通过所述稳压二极管(D1-1)连接所述外部充电电源(200)的输入相电压(L_in)，所述第2-1三极管(V2-1)的集电极与所述第1-1三极管(V1-1)的基极连接。

6.如权利要求2所述的充电装置，其特征在于，所述间歇充电单元(300)进一步包括：母线电压采样电阻(R1、R2)和CPU，所述CPU连接所述母线电压采样电阻(R1、R2)和所述可控硅控制电路(311)，

其中，所述母线电压采样电阻(R1、R2)实时监测所述母线电容(120)电压，当所述母线电容(120)电压达到预设值时，所述CPU控制所述可控硅控制电路(311)保持导通状态。

7.如权利要求1所述的充电装置，其特征在于，所述间歇充电单元(300)进一步包括：

IGBT(321)，所述IGBT(321)与所述整流桥(110)的输出端连接；

分流电阻(322)，所述分流电阻(322)的一端与所述IGBT(321)连接，另一端与所述母线电容(120)连接；和

IGBT控制电路(323)，包括第一分压电阻(R3、R4)和第1-2比较器(U1-2)，其中当所述分流电阻(322)上的电压大于所述第一分压电阻(R3、R4)的基准电压时，所述第1-2比较器(U1-2)输出高电平，以关闭所述IGBT(321)。