[实用新型]电磁炉

说明书

技术领域

本实用新型涉及电路结构技术领域，尤其涉及一种电磁炉。

背景技术

电磁炉具有安全、无明火、高效节能和清洁等多项优点，是常见的家庭电器设备。

电磁炉的开关器件通常选用绝缘栅双极型晶体管(Insulated Gate Bipolar Transistor，简称IGBT)，由IGBT驱动电路向IGBT的栅极提供驱动电压，以驱动IGBT导通或关断。当IGBT驱动电路提供给IGBT的栅极的驱动电压为高电压时，如15-20V，IGBT在饱和状态导通；当IGBT驱动电路提供给IGBT的栅极的驱动电压为低电压时，如0V-1V，IGBT关断。

但是，在使用电磁炉的过程中，用户插拔电磁炉的插头时，可能存在电源不稳定，导致IGBT驱动电路提供给IGBT的栅极的驱动电压随之波动，从而存在IGBT的栅极的驱动电压不够高(未达到15-20V)，使得IGBT在非饱和状态导通的情况。非饱和状态导通的IGBT容易损坏。因此，现有电磁炉存在IGBT易损坏的问题。

实用新型内容

为了解决背景技术中提到的至少一个问题，本实用新型提供一种电磁炉，用以解决现有电磁炉中IGBT易损坏的问题。

本实用新型一方面提供一种电磁炉，包括：IGBT驱动电路、IGBT、谐振电路、控制芯片和电源采样支路；其中，

所述IGBT驱动电路的输出端与所述IGBT的栅极连接，所述IGBT的集电极与所述谐振电路的第一端连接，所述谐振电路的第二端与供电电源连接，所述IGBT的发射极接地，并与所述供电电源连接；

电源采样支路包括串联的至少两个分压元件；

所述电源采样支路的第一端与第一直流电源连接，所述电源采样支路的第二端接地；

所述控制芯片的采样端口与所述电源采样支路中的分压元件的连接点连接；

所述控制芯片的输出端口与所述IGBT驱动电路的输入端连接，所述控制芯片用于在采样端口采样得到的电压小于预设电压时，向所述IGBT驱动电路提供关断电压，以使所述IGBT驱动电路根据所述关断电压驱动所述IGBT关断。

通过根据第一直流电源的变化，向IGBT驱动电路提供驱动电压，避免IGBT在非饱和状态下导通，保护了IGBT。通过采用控制芯片中的采样端口采样分压元件上的电压，由控制芯片本身检测第一直流电源的大小，避免了在电磁炉中增加采样电路和电压比较电路，简化了电路结构。

如上所述的电磁炉，所述分压元件为电阻，所述电源采样支路包括第一电阻和第二电阻；其中，

所述第一电阻的第一端与所述第一直流电源连接，所述第一电阻的第二端分别与所述第二电阻的第一端和所述控制芯片的采样端口连接，所述第二电阻的第二端接地。

分压元件采用电阻，使得电磁炉结构简单成本较低。

如上所述的电磁炉，所述电磁炉还包括：电容；

所述电容的第一端与所述第二电阻的第一端连接，所述电容的第二端接地；

所述电容，用于对所述控制芯片的采样端口的电压进行滤波。

通过在第二电阻的第一端增加电容，对波动的直流电源进行滤波，滤除第一直流电源的波动和干扰信号，可提高控制芯片的采样端口的采样准确率，避免损坏控制芯片，进一步保护了IGBT。

如上所述的电磁炉，所述电磁炉还包括：钳位二极管；

所述钳位二极管的负极与第二直流电源连接，所述钳位二极管的正极与所述第二电阻的第一端连接；其中，所述第二直流电源为所述控制芯片的驱动电源；

所述钳位二极管，用于控制所述控制芯片的采样端口的电压在预设范围内。

通过在控制芯片的采样端口增加钳位二极管，可避免第一直流电源中的干扰信号损坏控制芯片。

如上所述的电磁炉，所述IGBT驱动电路包括电平转换电路和推挽驱动电路；

所述电平转换电路分别与所述控制芯片和所述推挽驱动电路连接，所述推挽驱动电路还与所述IGBT的栅极连接。

如上所述的电磁炉，所述电平转换电路包括：第三电阻和第一三极管；

所述第三电阻的第一端与所述第一直流电源连接，所述第三电阻的第二端分别与所述推挽驱动电路，以及所述第一三极管的集电极连接；

所述第一三极管的基极与所述控制芯片的输出端口连接，所述第一三极管的发射极接地。

如上所述的电磁炉，所述推挽驱动电路包括：第二三极管和第三三极管；