[实用新型]一种新型多路光电耦合器电路有效

专利信息
申请号: 201720765740.3 申请日: 2017-06-28
公开(公告)号: CN207265999U 公开(公告)日: 2018-04-20
发明(设计)人: 方明洪;王强;姚良智;彭庆珺;周卓;田国东 申请(专利权)人: 中国振华集团永光电子有限公司(国营第八七三厂)
主分类号: H03K19/0175 分类号: H03K19/0175
代理公司: 贵阳派腾阳光知识产权代理事务所(普通合伙)52110 代理人: 谷庆红
地址: 550018 贵州省*** 国省代码: 贵州;52
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摘要:
搜索关键词: 一种 新型 光电 耦合器 电路
【说明书】:

技术领域

实用新型涉及一种新型多路光电耦合器电路,属于光电耦合器件电路技术领域。

背景技术

光耦合器(Photo-coupler)通过其内部的发光芯片与光感芯片的搭配,完成将电信号转为光信号、光信号再转为电信号的转换,因而适可用作一种电路安全装置。通过光耦合器的使用,可以避免来源端的电信号发生突波、不稳定等状况时,使得接收端的电路因直接电性连接该来源端,而产生譬如晶体管烧毁或电路无法正常运作等情形。

目前市场上很多企业生产的光电耦合器主要有1通道、2通道、4通道等,其经常出现稳定性较差、抗干扰能力不强和负载能力差等问题,给产品的使用造成了很大的安全隐患,也给制造企业的声誉造成不小的损失。

实用新型内容

为解决上述技术问题,本实用新型提供了一种新型多路光电耦合器电路,该新型多路光电耦合器电路利用光电耦合器的结构和工作环境特点,通过增加三极管和电阻来解决以上所述问题。

本实用新型通过以下技术方案得以实现。

本实用新型提供的一种新型多路光电耦合器电路,包括二极管、电阻、钽电容、光电耦合器和三极管,所述二极管D1和D2并联后与电阻R1串联,电阻R1的后端与钽电容C1的正极相连,钽电容C1的负极接地GND1;所述光电耦合器的阳极与钽电容C1的正极相连,光电耦合器的阴接地GND1,光电耦合器的集电极连接电源;所述下拉电阻R2与电阻R3并联后连接光电耦合器的发射极;所述电阻R3的后端与三极管的基极B连接,三极管的发射极E接地GND2。

所述三极管为NPN型。

所述三极管的参数为0.6A,180V。

所述二极管D1和D2的参数为1A,1000V。

所述电阻R1为3K欧、R2为4.7K欧、R3为910欧。

所述电阻R1功率大于等于0.5W,电阻R2、R3功率大于等于1/8W。

所述钽电容C1的参数为10UF,5V。

本实用新型的有益效果在于:利用光电耦合器的结构和工作环境特点,通过增加三极管和电阻来提高其工作稳定性、抗干扰能力以及负载能力,同时解决了多路光电耦合器同时工作相互之间干扰的安全隐患。

附图说明

图1是本实用新型的电路原理图;

图2是本实用新型光电耦合器的结构示意图;

图3是本实用新型光电耦合器的部分结构示意图。

具体实施方式

下面进一步描述本实用新型的技术方案,但要求保护的范围并不局限于所述。

如图1所示,一种新型多路光电耦合器电路,包括二极管、电阻、钽电容、光电耦合器和三极管,所述二极管D1和D2并联后与电阻R1串联,电阻R1的后端与钽电容C1的正极相连,钽电容C1的负极接地GND1;所述光电耦合器的阳极与钽电容C1的正极相连,光电耦合器的阴接地GND1,光电耦合器的集电极连接电源;所述下拉电阻R2与电阻R3并联后连接光电耦合器的发射极;所述电阻R3的后端与三极管的基极B连接,三极管的发射极E接地GND2。

其中,所述三极管为NPN型,输出时放大了接受到的电信号,仍然遵循能量守恒,只是把电源的能量转换成电信号的能量;所述三极管的参数为0.6A,180V,可转换频率最大为100MHz,功率最大为350mW;所述二极管D1和D2的参数为1A,1000V,用于防反电路、整流电路、检波电路和稳压电路;所述电阻R1为3K欧、R2为4.7K欧、R3为910欧;所述电阻R1功率大于等于0.5W,电阻R2、R3功率大于等于1/8W;所述钽电容C1的参数为10UF,5V。

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