[实用新型]一种磁控旋转靶磁场调节装置及应用其的磁控旋转靶装置

说明书

技术领域

本实用新型涉及磁控溅射技术领域，具体涉及一种磁控旋转靶磁场调节装置及应用其的磁控旋转靶装置。

背景技术

磁控溅射的工作原理是指电子在电场E的作用下，在飞向基片过程中与氩原子发生碰撞，使其电离产生出Ar正离子和新的电子；新电子飞向基片，Ar离子在电场作用下加速飞向阴极靶，并以高能量轰击靶表面，使靶材发生溅射。在溅射粒子中，中性的靶原子或分子沉积在基片上形成薄膜。

为了在低气压下进行高速溅射，必须提高气体的离化率。一般通过在靶阴极表面引入磁场，利用磁场对带电粒子的约束提高等离子体密度以增加溅射率的方法。因此，磁场强度的不均匀，会导致镀膜质量的下降，从而影响生产产品的性能。

现有技术中常采用的溅射用磁控旋转靶，如图1所示，包括圆柱状旋转管2a，该旋转管的外表面涂覆有一层靶材料层1a，其内部固定有水管3a，该水管设置在磁轭5a上部，在水管外侧设置有磁件固定条4a。该磁控旋转靶装置通过调节磁件固定条来实现对旋转靶表面磁场强度进行调节。但是，该磁控旋转靶装置在使用过程中，会由于装置的振动导致磁件固定条4a的松动，进而影响磁场分布的均匀性。

实用新型内容

因此，本实用新型要解决的技术问题在于克服现有技术中的由于磁件固定条的松动从而影响磁场分布均匀性的缺陷。

鉴于此，本实用新型提供一种磁控旋转靶磁场调节装置，包括：

第一调节组件，设置在磁件固定条两端部，用于将所述磁件固定条连接至磁轭并调节所述磁件固定条与所述磁轭的相对位置；

第二调节组件，夹设在所述磁轭和水管之间，用于调节所述水管与所述磁轭的相对位置。

可选地，所述第一调节组件包括第一固定件、第二固定件，以及活动连接在所述第一固定件端部和所述第二固定件端部的第一调节件；所述第一固定件远离所述第一调节件的一端连接至所述磁件固定条，所述第二固定件远离所述第一调节件的一端连接至所述磁轭。

可选地，所述第一调节件为螺栓。

可选地，所述第二调节组件包括：

第三固定件，相对设置在所述水管两侧并与所述磁轭固定连接，所述第三固定件上开设有通孔；

第二调节件，部分穿设在所述通孔中，并能够相对所述第三固定件在所述磁轭上表面移动。

可选地，所述第二调节件包括设置在所述水管两侧的限位块以及穿设在所述通孔中的调节杆。

可选地，所述通孔的内壁与所述调节杆的外壁分别设置有适配的螺纹。

可选地，所述限位块靠近所述水管的表面为斜面。

本实用新型还提供一种磁控旋转靶装置，包括靶筒以及设置在所述靶筒内部的磁轭和水管；所述水管通过磁件固定条固定在所述磁轭上部，并通过上述任一项所述的调节装置调节所述磁件固定条相对所述磁轭的位置。

可选地，所述靶筒包括支撑筒以及设置在所述支撑筒外壁的靶材管。

可选地，所述磁轭下部设置有若干端部极性不全相同的磁体。

本实用新型技术方案，具有如下优点：

1.本实用新型提供的磁控旋转靶磁场调节装置，通过设置在磁件固定条两端部的第一调节组件，用于将磁件固定条连接至磁轭并调节磁件固定条与所述磁轭的相对位置；以及，夹设在所述磁轭和水管之间的第二调节组件，用于调节所述水管与所述磁轭的相对位置。通过第一调节组件与第二调节组件的配合使用实现对磁轭与水管高度的调节，该调节方式能实现对磁场均匀的微调，达到理想的磁场均匀性。

2.本实用新型提供的磁控旋转靶磁场调节装置，其中，第一调节组件包括第一固定件、第二固定件，以及活动连接在第一固定件端部和第二固定件端部的第一调节件；第一固定件远离第一调节件的一端连接至磁件固定条，第二固定件远离第一调节件的一端连接至所述磁轭。通过将第一调节件设置在第一固定件与第二固定件之间，既能保证磁件固定条的固定，又能实现磁件固定条与磁轭相对位置的调节。

3.本实用新型提供的磁控旋转靶磁场调节装置，其中，第二调节组件包括第三固定件，相对设置在水管截面两侧并与磁轭固定连接，第三固定件上开设有通孔；第二调节件，部分穿设在通孔中，并能够相对第三固定件在磁轭上表面移动；第二调节件包括设置在水管两侧的限位块以及穿设在通孔中的调节杆。通过调整调节杆的位置，带动限位块的移动，从而调节水管与磁轭的相对位置，由于限位块夹设在水管两侧，且该限位块与水管的接触面为斜面，既可以保证水管的相对固定,又可以通过斜面的推进实现水管与磁轭相对位置的调节。