[实用新型]一种带新型限流保护电路的负电源LDO有效

专利信息
申请号: 201720630268.2 申请日: 2017-06-02
公开(公告)号: CN206726083U 公开(公告)日: 2017-12-08
发明(设计)人: 刘倩婧;车立志 申请(专利权)人: 车立志
主分类号: G05F1/573 分类号: G05F1/573
代理公司: 北京志霖恒远知识产权代理事务所(普通合伙)11435 代理人: 刘子成
地址: 266000 山东*** 国省代码: 山东;37
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摘要:
搜索关键词: 一种 新型 限流 保护 电路 电源 ldo
【权利要求书】:

1.一种带新型限流保护电路的负电源LDO,包括反馈电阻、调整管、误差放大器和限流保护电路;

调整管为MOS管M6,误差放大器包括MOS管M1、MOS管M2、MOS管M3、MOS管M4和MOS管M5;

基准电压Vref端与MOS管M2的栅极连接,输入电压Vin端与MOS管M6的源极连接,输出电压Vout端与MOS管M6的漏极连接,偏置电压Vbias端与MOS管M1的栅极连接;

MOS管M1的漏极与反馈电阻的一端、地连接,源极与MOS管M2的漏极、MOS管M3的漏极连接;

MOS管M2的源极与MOS管M4的漏极、MOS管M6的栅极连接;

MOS管M3的栅极与反馈电阻的非接地端连接,源极与MOS管M5的漏极、MOS管M4的栅极连接;

MOS管M4的源极与MOS管M6的源极、MOS管M5的源极连接;

MOS管M5的栅极与MOS管M5的漏极连接;

MOS管M6的漏极与反馈电阻的非接地端连接;

其特征在于:限流保护电路包括MOS管M7、MOS管M8、MOS管M9、MOS管M10和MOS管M11;

MOS管M7的漏极与MOS管M8的漏极、MOS管M1的漏极连接,栅极与MOS管M8的栅极、MOS管M1的栅极连接,源极与MOS管M10的栅极、MOS管M9的漏极连接;

MOS管M8的源极与MOS管M9的源极、MOS管M11的栅极连接;

MOS管M9的栅极与MOS管M11的源极、MOS管M6的漏极连接;

MOS管M10的漏极与MOS管M3的漏极连接,源极与MOS管M3的源极、MOS管M11的漏极连接。

2.根据权利要求1所述一种带新型限流保护电路的负电源LDO,其特征在于:反馈电阻包括相互串联的电阻R1和电阻R2;

电阻R1的一端接地、另一端通过电阻R2与输出电压Vout端连接,电阻R1和电阻R2的公共端与MOS管M3的栅极连接。

3.根据权利要求2所述一种带新型限流保护电路的负电源LDO,其特征在于:电阻R1和电阻R2取值为M欧姆级。

4.根据权利要求1所述一种带新型限流保护电路的负电源LDO,其特征在于:MOS管M6的漏极通过电容Cc与MOS管M6的栅极连接。

5.根据权利要求1所述一种带新型限流保护电路的负电源LDO,其特征在于:基准电压Vref端为2阶补偿的负带隙基准源,大小为-1.3V。

6.根据权利要求1所述一种带新型限流保护电路的负电源LDO,其特征在于:MOS管M6的漏极与输出电压Vout端之间设置有采样电阻Rcl。

7.根据权利要求1所述一种带新型限流保护电路的负电源LDO,其特征在于:MOS管M1、MOS管M2、MOS管M3、MOS管M7、MOS管M8、MOS管M10和MOS管M11为MMOS管,MOS管M4、MOS管M5、MOS管M6和MOS管M9为NMOS管。

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