[实用新型]一种储能系统的充电连接电路

权利要求书

1.一种储能系统的充电连接电路，其特征在于，包括：第一输入端(1)、第二输入端(2)、第一输出端(3)、第二输出端(4)、输出单元(100)、输出控制单元(200)，所述第一输入端(1)分别与充电电源(400)的总正端、所述输出单元(100)的第一输入端和所述输出控制单元(200)的第一输入端连接；

所述第二输入端(2)分别与所述充电电源(400)的总负端、所述输出控制单元(200)的第二输入端和所述第二输出端(4)连接；

所述输出控制单元(200)的输出端与所述输出单元(100)的第二输入端连接；

所述第一输出端(3)分别与所述输出单元(100)的输出端和储能系统(300)的总正端连接；

所述第二输出端(4)与储能系统(300)的总负端连接。

2.根据权利要求1所述的储能系统的充电连接电路，其特征在于，所述输出单元(100)包括第一MOS管Q1、第二MOS管Q2、第一极性电容K1、第一电阻R1和第二电阻R2，所述第一MOS管Q1的漏极作为所述输出单元(100)的第一输入端，所述第二电阻R2的一端作为所述输出单元(100)的第二输入端，所述第二MOS管Q2的漏极作为所述输出单元(100)的输出端；

所述第一极性电容K1的正极分别与所述第一MOS管Q1的源极、所述第一电阻R1的一端和所述第二MOS管Q2的源极连接，负极分别与所述第一MOS管Q1的栅极、所述第二电阻R1的另一端、所述第二MOS管Q2的栅极和所述第二电阻R2的另一端连接。

3.根据权利要求2所述的储能系统的充电连接电路，其特征在于，所述输出单元(100)还包括串联连接的第三电阻R3和第一电容C1，所述第三电阻R3的一端与所述第一MOS管Q1的漏极连接；

所述第一电容C1的一端与所述第一MOS管的栅极连接。

4.根据权利要求3所述的储能系统的充电连接电路，其特征在于，所述输出单元(100)还包括串联连接的第四电阻R4和第二电容C2，所述第四电阻R4的一端与所述第二MOS管Q2的漏极连接；

所述第二电容C2的一端与所述第二MOS管Q2的栅极连接。

5.根据权利要求4所述的储能系统的充电连接电路，其特征在于，所述输出控制单元(200)包括第一光电耦合器U1、第二光电耦合器U2、第三光电耦合器U3、第五电阻R5、第六电阻R6、第七电阻R7、第八电阻R8和控制芯片U4，所述第五电阻R5的一端作为所述输出控制单元(200)的第一输入端，所述第三光电耦合器U3中的发光二极管的阴极作为所述输出控制单元(200)的第二输入端，所述第一光电耦合器U1中的光电三极管的集电极作为所述输出控制单元(200)的输出端；

所述第五电阻的另一端分别与所述第一光电耦合器U1中的发光二极管的阳极和所述第三光电耦合器U3中的发光二极管的阳极连接；

所述第一光电耦合器U1中的发光二极管的阴极与所述第二光电耦合器U2中的光电三极管的集电极连接，所述第一光电耦合器U1中的光电三极管的发射极与所述充电电源(400)的总负端连接；

所述第二光电耦合器U2中的光电三极管的发射极与所述第三光电耦合器U3中的发光二极管的阴极连接，所述第二光电耦合器U2中的发光二极管的阳极与所述第六电阻R6的一端连接，所述第二光电耦合器U2中的发光二极管的阴极接地；

所述第三光电耦合器U3中的光电三极管的集电极分别与所述第七电阻R7的一端和第八电阻R8的一端连接，所述第三光电耦合器U3中的光电三极管的发射极接地；

所述第七电阻R7的另一端与电源Vcc连接；

所述控制芯片U4的数字输出端与所述第六电阻R6的另一端连接，所述控制芯片U4的数字输入端与所述第八电阻R8的另一端连接，所述控制芯片U4的电源端与电源Vcc连接，所述控制芯片U4的接地端接地。

6.根据权利要求5所述的储能系统的充电连接电路，其特征在于，所述输出控制单元(200)还包括第三电容C3，所述第三电容C3的一端与所述控制芯片U4的电源端连接，另一端与所述控制芯片U4的接地端连接。

7.根据权利要求1所述的储能系统的充电连接电路，其特征在于，所述储能系统(300)为电池组。