[实用新型]石英晶片清洗装置

说明书

技术领域

本实用新型涉及一种晶片清洗装置，具体的说，涉及了一种石英晶片清洗装置。

背景技术

石英晶片是电子元器件中最为重要的元件，石英晶片在生产流程中需要经过多道处理工序，而制取的晶片在加工过程中有一项参数指标非常重要，即激励功率依赖性，具体是指谐振器在不同激励功率下，石英晶片的频率和电阻所表现的不同变化量，而谐振器产生激励功率依赖性的主要原因是晶片受到污染所致，而现有的石英晶片去污方法普遍存在清洁不充分现象。

为了解决以上存在的问题，人们一直在寻求一种理想的技术解决方案。

发明内容

本实用新型的目的是针对现有技术的不足，从而提供一种实用性强、操作简单、去污效果好的石英晶片清洗装置。

为了实现上述目的，本实用新型所采用的技术方案是：一种石英晶片清洗装置，它包括内部带有空腔的酸洗槽基座、多个烧杯和多个聚四氟乙烯清洗筐，所述酸洗槽基座顶部设置有多个烧杯固定孔，所述酸洗槽基座的空腔内部设置有加热管，所述加热管内设置有电加热丝，各所述烧杯可拆卸设置在各所述烧杯固定孔内，各所述聚四氟乙烯清洗筐可拆卸设置在各所述烧杯中，各所述聚四氟乙烯清洗筐上均开设有透液孔。

基于上述，所述聚四氟乙烯清洗筐的高度小于所述烧杯的高度。

基于上述，各所述烧杯顶部还设置有密封端盖。

基于上述，所述聚四氟乙烯清洗筐包括圆筒形清洗筐基体和设置在所述圆筒形清洗筐基体一端的清洗筐框底，所述圆筒形清洗筐基体和所述清洗筐框底上分别开设有所述透液孔。

基于上述，所述聚四氟乙烯清洗筐的内径小于所述烧杯的内径。

本实用新型相对现有技术具有实质性特点和进步，具体的说，本实用新型通过将待酸洗的石英晶片放置在带有透液孔的聚四氟乙烯清洗筐中进行清洗，方便了从酸洗液中取出石英晶片和后续对石英晶片进行热水淋洗和超声波清洗，实现了一个装置可对石英晶片进行多个工艺处理，减少了拿取石英晶片过程对石英晶片的污染。且该装置还具有结构简单，使用方便快捷等优点。

附图说明

图1是本实用新型提供的石英晶片清洗装置处于聚四氟乙烯清洗筐未完全放入烧杯内部的装配状态结构示意图。

图2是本实用新型提供的石英晶片清洗装置的酸洗槽基座的结构示意图。

图3是本实用新型提供的石英晶片清洗装置中聚四氟乙烯清洗筐的结构示意图。

图4是本实用新型提供的石英晶片清洗装置中的烧杯结构示意图。

图中：1、酸洗槽基座； 12、烧杯固定孔；2、烧杯；21、烧杯密封盖； 3、聚四氟乙烯清洗筐；31、透液孔；32、清洗筐基体；33、清洗筐框底。

具体实施方式

下面通过具体实施方式，对本实用新型的技术方案做进一步的详细描述。

实施例1

如图1和图2所示，本实施例提供一种石英晶片清洗装置，它包括内部带有空腔的长方体酸洗槽基座1、十五个烧杯2和十五个聚四氟乙烯清洗筐3。所述酸洗槽基座1顶部设置十五个烧杯固定孔12，所述酸洗槽基座1的型腔内部设置有加热管，所述加热管内设置有电加热丝，各所述烧杯2可拆卸设置在所述烧杯固定孔12内，各所述聚四氟乙烯清洗筐3可拆卸设置在所述烧杯2中，所述聚四氟乙烯清洗筐3上开设有透液孔31。

具体地，如图3所示，所述聚四氟乙烯清洗筐3包括圆筒形清洗筐基体32和设置在所述圆筒形清洗筐基体32一端的清洗筐框底33，所述圆筒形清洗筐基体32和所述清洗筐框底33上分别开设有所述透液孔31。为了能将所述聚四氟乙烯清洗筐3完全置于所述烧杯2中，所述聚四氟乙烯清洗筐3的高度小于所述烧杯2的高度，所述聚四氟乙烯清洗筐3的内径小于所述烧杯2的内径。如图4所示，为了能对晶片进行密封酸洗，所述烧杯2顶部还设置有密封端盖21。

具体地，利用该装置对石英晶片进行清洗时，具体操作步骤为：

首先将各烧杯2置于烧杯固定孔12中，并向各所述烧杯2中加入酸洗液并用所述烧杯密封盖21进行密封；向所述带有空腔的长方体酸洗槽基座1内加入水并接通所述加热管通过水对酸洗液进行加热；然后把待清洗的石英晶片放入各所述聚四氟乙烯清洗筐3中并连同该聚四氟乙烯清洗筐3放入到酸液中浸泡，酸洗浸泡一定时间后，取出该聚四氟乙烯清洗筐3并淋干残余的酸洗液；

最后将该聚四氟乙烯清洗筐3和石英晶片一起放入热水中冲洗，流水清洗2分钟至3分钟，从而得到酸洗后的石英晶片。

最后应当说明的是:以上实施例仅用以说明本实用新型的技术方案而非对其限制；尽管参照较佳实施例对本实用新型进行了详细的说明，所属领域的普通技术人员应当理解：依然可以对本实用新型的具体实施方式进行修改或者对部分技术特征进行等同替换；而不脱离本实用新型技术方案的精神，其均应涵盖在本实用新型请求保护的技术方案范围当中。