[实用新型]集成耦合电感有效

专利信息
申请号: 201720490586.3 申请日: 2017-05-05
公开(公告)号: CN207038323U 公开(公告)日: 2018-02-23
发明(设计)人: 陈劲泉;倪川 申请(专利权)人: 无锡瓴芯电子科技有限公司
主分类号: H01F27/34 分类号: H01F27/34;H01F27/24;H01F27/28
代理公司: 无锡市汇诚永信专利代理事务所(普通合伙)32260 代理人: 张欢勇
地址: 214000 江苏省无锡市新*** 国省代码: 江苏;32
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摘要:
搜索关键词: 集成 耦合 电感
【权利要求书】:

1.一种集成耦合电感,其特征在于:包括上磁体、下磁体和磁柱,所述磁柱至少包括2个,所述磁柱间隔设置于下磁体上,所述下磁体的左右两端端部分别凸出于最左侧磁柱的左侧面和最右侧磁柱的右侧面,所述上磁体设置于磁柱的顶面上且上磁体的左右两端端部分别凸出于最左侧磁柱的左侧面和最右侧磁柱的右侧面,所述上磁体的左右两端端部分别与下磁体的左右两端端部齐平且在垂直方向上具有间隔距离,所述间隔距离形成气隙一,所述相邻磁柱间的间隔形成气隙二,每个所述磁柱上环绕有绕组,每个所述磁柱的自身绕组在该磁柱中感应产生的激磁磁通方向与其他磁柱上的绕组在该磁柱中感应产生的激磁磁通方向相反以起到反耦合的作用,每个所述磁柱上的绕组在气隙一感应产生的漏磁磁通方向与在气隙二感应产生的漏磁磁通方向一致。

2.一种集成耦合电感,其特征在于:包括上磁体、下磁体和磁柱,所述磁柱至少包括2个,所述下磁体呈“凹”字形,所述磁柱间隔设置于下磁体的凹槽内,所述上磁体呈“一”字形,所述上磁体设置于磁柱的顶面上且上磁体的顶面与下次体两端端部的顶面齐平,所述上磁体左右两边的侧面分别与下磁体内部左右两边的侧面之间具有间隔距离,所述间隔距离形成气隙一,所述相邻磁柱间的间隔形成气隙二,每个所述磁柱上环绕有绕组,每个所述磁柱的自身绕组在该磁柱中感应产生的激磁磁通方向与其他磁柱上的绕组在该磁柱中感应产生的激磁磁通方向相反以起到反耦合的作用,每个所述磁柱上的绕组在气隙一感应产生的漏磁磁通方向与在气隙二感应产生的漏磁磁通方向一致。

3.根据权利要求1或2所述的集成耦合电感,其特征在于:所述上磁体和下磁体均由顺序相连的多个磁体块构成,磁体块的数量与磁柱的数量相同,每个磁体块对应于一个磁柱。

4.根据权利要求1或2所述的集成耦合电感,其特征在于:所述磁柱的横截面积为矩形、正方形、圆形或者不规则形状。

5.根据权利要求1或2所述的集成耦合电感,其特征在于:所述上磁体、磁柱和下磁体为一体成型结构。

6.根据权利要求1或2所述的集成耦合电感,其特征在于:所有所述磁柱的结构相同。

7.根据权利要求1或2所述的集成耦合电感,其特征在于:所有所述磁柱之间的间隔相等或者不等。

8.根据权利要求1或2所述的集成耦合电感,其特征在于:所述绕组为单层绕线线圈或者多层绕线线圈。

9.根据权利要求8所述的集成耦合电感,其特征在于:所有所述磁柱上的绕线线圈层数相同或者不同。

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