[实用新型]一种全N管单相马达驱动装置

说明书

技术领域

本实用新型涉及一种驱动装置技术领域，尤其是一种全N管单相马达驱动装置。

背景技术

目前市面上的单相全桥马达普遍使用LB11867RV芯片IC或LB11867FV芯片IC，通过采用P渠道MOS管和N渠道MOS管结合使用，使用单电源电压就可以控制马达运转。

为适应小型直流电机的使用需求，各半导体厂商推出了直流电机控制专用集成电路，构成基于MCU控制的单相全桥马达驱动系统，目前市面上的单相全桥马达驱动基本都是采用上P下N的MOS管结构。其优点是采用集成化，外围元件少，驱动电路简单，成本相对较低，控制简单，适合做低电压小电流的驱动结构。

但因为采用上P下N的MOS管结构，PMOS管内阻大，输出功率有限，不适合大功率电机驱动的需求，而且同等参数的N管与P管MOS价格相差将近3倍，并且且P管TO-252封装以下极少有做到过600V以上，P管大约只有N管市场的三分之一，若发生断货情况下很难找到合适的替代品。

发明内容

为解决上述问题，本实用新型提供一种全N管单相马达驱动装置，制作成本低，MOS管全为N型管，且通过电流大，安全性高，有效提高使用效率。

为实现上述目的，本实用新型采用的技术方案是：一种全N管单相马达驱动装置，包括有驱动电路、电源电路、控制电路、升压电路，所述电源电路的输出端分别与驱动电路、控制电路、升压电路输入端连接，所述驱动电路包含有MOS管N1、MOS管N2、MOS管N3、MOS管N4、三极管T8、三极管T9，所述MOS管N1、MOS管N2的栅极分别通过电阻R19、电阻R20与升压电路输出端VH连接，所述MOS管N1、MOS管N2的漏极与电源电路的输出端DV连接，所述MOS管N1、MOS管N2的源极分别与MOS管N3、MOS管N4的漏极连接，所述MOS管N3的漏极和MOS管N4的漏极之间连接有马达线圈绕组L，所述MOS管N3的源极、MOS管N4的源极通过电阻R36接地，控制电路还经过电阻R38、R36接地，用于电流采样，所述MOS管N3的栅极通过电阻R29与控制电路的输入端AL连接，所述MOS管N4的栅极通过电阻R30与控制电路的输入端BL连接，所述三极管T8的基极通过电阻R25与控制电路的输出端连接，集电极通过电阻R21与MOS管N1的栅极连接，发射极接地，所述三极管T9的基极通过电阻R26与控制电路的输出端连接，集电极通过电阻R22与MOS管N1的栅极连接，发射极接地，所述MOS管N1、MOS管N2、MOS管N3、MOS管N4均为NMOS管。

具体地，所述升压电路包含有二极管D6、二极管D7、电容C7、电容C9、MMBT5401三极管T1，所述二极管D6正极与电源VCC连接，负极与二极管D7正极连接，所述二极管负极通过电容C9接地，所述二极管负极输出信号VH，所述二极管D6负极还通过电容C7与三极管T1的集电极连接，发射极与电源电路的输出端连接，基极通过电阻R8与发射极连接，基极还通过R9连接100KHz频率的放大电流。

具体地，所述的电源电路包含有二极管D1、二极管D5、78L05芯片U1、电容C5、电容CX，所述二极管D1、二极管D5正极分别与12V输入端连接，所述二极管D1负极与MOS管N1、MOS管N2的漏极连接，所述二极管D5的负极与芯片U1的输入端连接，芯片U1的输出端分别与升压电路、控制电路的输入端连接。

具体地，所述的控制电路包含有US1881芯片、MCU芯片，所述US1881芯片的输入端与电源电路的输出端连接，所述US1881芯片的输出端与MCU芯片的输入端连接。

本实用新型的有益效果在于：

本实用新型的驱动电路中的MOS管均属于NMOS管，制作成本低，选择性广泛，当器件缺货或其他问题时可以在短时间内快速找到替代品，且通过NMOS管的电流大，安全性高，因此本实用新型不仅效率高成本低，能驱动大功率的电机，而且电路结构简单，同时比较节省PCB板的空间。

附图说明

图1是实用新型的电路图。

附图标号说明：1：电源电路；2：升压电路；3：控制电路；4：驱动电路。

具体实施方式