[实用新型]一种滤波器有效
申请号: | 201720456545.2 | 申请日: | 2017-04-27 |
公开(公告)号: | CN206976543U | 公开(公告)日: | 2018-02-06 |
发明(设计)人: | 胡轶;张中玉;张宗元 | 申请(专利权)人: | 宁波华瓷通信技术有限公司 |
主分类号: | H01P1/208 | 分类号: | H01P1/208 |
代理公司: | 深圳盛德大业知识产权代理事务所(普通合伙)44333 | 代理人: | 贾振勇 |
地址: | 315000 浙江省宁波市*** | 国省代码: | 浙江;33 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 滤波器 | ||
技术领域
本实用新型属于通信器材领域,尤其涉及一种滤波器。
背景技术
滤波器结构中一般设有多个谐振腔,其中固定有介质谐振器。在滤波器中,相邻的介质谐振器之间的耦合程度与两者之间的距离以及两者中间位置处的结构有关。
现有技术中,滤波器中相邻的介质谐振器的位置一经固定,其耦合程度也就固定了,而有些情况下,滤波器的结构是受到其他条件限定的,但这种结构却有可能使得介质谐振器之间的耦合程度不能达到要求。
实用新型内容
本实用新型提供一种滤波器,旨在解决现有滤波器相邻两个介质谐振器之间的耦合程度不能达到要求的问题。
本实用新型是这样实现的,一种滤波器,其包括壳体,在壳体内设有多个固定有谐振器的谐振腔,相邻的谐振腔之间形成信号通道。在壳体上设有一用于封闭谐振腔的盖板。信号通道内设有信号开口,在信号开口中设有一增幅片。增幅片为一片状金属片,其绝缘的固定在信号开口处。
在上述技术方案中,由于在信号开口处设置了一增幅片,且增幅片处于相邻两个介质谐振器所形成的磁场中,因而增强了该磁场,使得相邻的介质谐振器的耦合程度得到了增强。
作为本实用新型进一步要解决的问题,本实用新型提供一种可以方便地改变相邻介质谐振器之间的耦合程度的谐振器。本实用新型的谐振器在信号开口处还设有一开合片,开合片的竖直方向上设有一转动轴,转动轴的上端可转动的固定于盖板上。
由于设置了一开合片,当需要改变相邻的两个介质谐振器的耦合度时,只需通过转动轴上端超出盖板的部分旋转开合片,即可改变相邻的两个介质谐振器的耦合度,而不需要打开盖板修改滤波器的内部结构,所以十分方便。
优选的,转动轴的上端露出盖板外部的部分设置有一转动操纵盘,以使得控制开合片的转动更加方便。
优选的,转动轴的上端与盖板的上表面平齐,转动轴的上顶面设置有螺丝口。通过设置转动轴的上端与盖板的上表面平齐,使得滤波器安装时不用担心其他结构撞击转动轴而使得开合片在竖直方向上的位置发生变化。
优选的,信号开口的面积是信号通道截面积的最小值。通过设置信号开口,可以通过预设信号开口的截面积来预设相邻的介质谐振器的耦合程度。
进一步的,信号开口是通过信号通道两侧处的壳体相向凹陷形成,当然信号开口也可以通过设置通道两侧处的壳体厚度增大而形成。
优选的,信号开口两侧的壳体内侧底部设有凸台,增幅片固定在凸台上。提前设置预定高度的凸台即可以预先确定增幅片的位置,操作方便。
优选的,凸台与谐振腔一体铸造,当需要大规模的制造同一规格的滤波器时,凸台与壳体一体铸造可以使得工序更为简便。
优选的,凸台为独立结构,可拆卸的固定于谐振腔壳体,当需要的滤波器的规格不一且所需数量较少时,通过设置凸台为独立结构,使得凸台单独制造,可以使得工序简便。
优选的,凸起的个数为两个,分别设置于壳体的相向内侧的底部。所述增幅片的两端分别固定于两个凸台上。设置两个凸台以实现增幅片的两端固定,可以使得增幅片的位置较为稳定,在滤波器发生晃动时增幅片不会发生摆动。此外,增幅片与壳体需绝缘设置,否则起不到调节耦合度的效果。
优选的,开合片的下端可转动的固定于凸台或者壳体底部。设置开合片的下端固定可以使开合片下端不发生晃动,使得其对耦合的作用保持稳定。当然,也可以使其悬空不固定。
在本实用新型的技术方案中,由于设置了一增幅片,所以可以根据需要选择合适大小和厚度的增幅片来改变相邻的两个谐振器的耦合程度,解决了受滤波器结构的限制而使得耦合程度达不到要求的问题。
附图说明
图1是本实用新型的谐振器窗口耦合结构未装备盖板时的透视图。
图2是本实用新型的谐振器窗口耦合结构取出转动片时的透视图。
图3是本实用新型的谐振器窗口取出增幅片和转动片时的透视图。
图4是图1的A-A向截面图。
具体实施方式
为了使本实用新型的目的、技术方案及优点更加清楚明白,以下结合附图及实施例,对本实用新型进行进一步详细说明。应当理解,此处所描述的具体实施例仅仅用以解释本实用新型,并不用于限定本实用新型。
本实用新型的滤波器在相邻的两个介质谐振器3之间设置了一增幅片7,增幅片7为一片状金属,绝缘的固定于信号开口6处,通过设置合适大小和厚度的增幅片可以使得相邻两个介质谐振器之间的磁场变强,因而耦合程度变强。
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