[实用新型]一种智能手环的防反充充电电路

说明书

技术领域

本实用新型涉及一种充电电路，具体涉及一种防反充防压降的充电电路。

背景技术

目前，在智能可穿戴设备中，充电管理IC一般使用单节锂电池充电管理IC SGM4056进行管理，加上合适的充电线路，如附图1所示，来进行充电，附图1为5V的充电电路。该电路存在一个非常大的隐患，当充电接头接反以后，充电IC SGM4056极易烧毁，且容易烧毁后级电路。

在设计上，申请人在充电输入端接入一个二极管（如附图2），以解决防反充的问题。但是，经过试验，发现接入二极管以后，充电效率十分低下，甚至有时基本无法为可穿戴设备（如智能手表和智能手环）充电，究其原因，发现SGM4056的正常工作电压值4.5~6.5V，如果使用二极管的防反充电路，由于二极管本身存在压降（锗管0.3-0.4V，硅管0.5-0.7V），这样，或导致到达充电IC端的电压小于4.5V，或者略大于4.5V，这样就造成无法充电的情况。

实用新型内容

本实用新型为解决上述的技术问题，提出一种防反充防压降的充电电路，该电路可以很好地解决反充和压降的问题，使得到达充电IC端的电压基本维持在5V。

一种防反充充电电路，所述电路包括单节锂电池充电管理IC，负极充电输入线串接一电容C2后与正极充电输入线并联，一同接入到所述充电管理IC的电源输入脚（VIN），其特征在于，在所述负极充电输入线的输入端与所述电容C2之间设置一NMOS管，所述NMOS管的漏极连接所述负极充电输入线的输入端，所述NMOS管的控制极连接电阻R5后，并接入所述正极充电输入线，所述NMOS管的源极与所述电容连接，所述NMOS管的源极与所述电容之间的线路接地。

进一步地，所述单节锂电池充电管理IC为SGM4056。

进一步地，所述单节锂电池充电管理IC SGM4056的GND脚接地，EN脚串接电阻R6后接地，IREF脚串接电阻R7后接地，IMIN脚串接电阻R8后接地，BAT脚接电池正极。

进一步地，所述电阻R6阻值为10kΩ，所述电阻R7为108 kΩ至132kΩ，所述电阻R8为675 kΩ至825kΩ。

进一步地，所述电容C2为4.7μF，所述电阻R5为10 kΩ。

进一步地，所述NMOS管为ME1702。

通过上述技术方案，实现了充电防反充，避免充电器接反烧毁手环设备，且基本不会降压。

附图说明

图1是现有技术的充电电路。

图2是加上二极管后的充电电路。

图3是本实用新型的充电电路。

具体实施方式

现在将参考附图更全面地描述示例实施方式。然而，示例实施方式能够以多种形式实施，且不应被理解为限于在此阐述的范例；相反，提供这些实施方式使得本实用新型将更加全面和完整，并将示例实施方式的构思全面地传达给本领域的技术人员。附图仅为本实用新型的示意性图解，并非一定是按比例绘制。图中相同的附图标记表示相同或类似的部分，因而将省略对它们的重复描述。

此外，所描述的特征、结构或特性可以以任何合适的方式结合在一个或更多实施方式中。在下面的描述中，提供许多具体细节从而给出对本实用新型的实施方式的充分理解。然而，本领域技术人员将意识到，可以实践本实用新型的技术方案而省略所述特定细节中的一个或更多，或者可以采用其它的方法、组元、装置、步骤等。在其它情况下，不详细示出或描述公知结构、方法、装置、实现或者操作以避免喧宾夺主而使得本实用新型的各方面变得模糊。

如附图1所述，单节锂电池充电管理IC SGM4056当需要5V充电时，可以对充电电流进行设置，充电电流设置IREF=12200/R7（单位mA），R7为串接在IREF脚的电阻，串接后接地，电阻的阻值根据充电电流的设置，计算得出120kΩ，可以有1%的偏差，充电截止电流设置IMIN=11000/R8（单位mA），R8为串接在IMIN脚的电阻，串接后接地，电阻的阻值根据充电截止电流设置，计算得出750kΩ，可以有1%的偏差。SGM4056的引脚5（GND）接地，引脚4（EN）接入电阻R6后接地，R6的阻值为10kΩ，引脚8（BAT）接电池正极。在充电端，负极充电输入线串接一电容C2后与所述正极充电输入线并联，一同接入到充电管理IC的电源输入脚（VIN），负极充电输入线与所述电容之间的线路接地。

由于目前的充电头正负极区分不是特别明显，因此，极大几率存在正负极反接的情况，此时，当反接时，极易烧毁充电管理IC以及后级电路。