[实用新型]高抗电磁干扰模拟信号输入电路有效
| 申请号： | 201720450421.3 | 申请日： | 2017-04-25 |
| 公开（公告）号： | CN206759418U | 公开（公告）日： | 2017-12-15 |
| 发明（设计）人： | 杜瑞存;王玉龙 | 申请（专利权）人： | 天津恒信创远科技有限公司 |
| 主分类号： | H03K19/0175 | 分类号： | H03K19/0175;G06F3/05 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 300000 天津市滨海新区华*** | 国省代码： | 天津;12 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 电磁 干扰 模拟 信号 输入 电路 | ||
1.一种高抗电磁干扰模拟信号输入电路，其特征在于，包括：模拟信号传感器、十个信号调理模块、多路复用器、通信芯片、磁耦隔离芯片、MCU微处理器，所述模拟信号传感器包括十路模拟信号输出端，每路模拟信号输出端对应连接一个所述信号调理模块，每个所述信号调理模块包括电容、稳压二极管、电阻，所述电容和电阻分别并联在所述稳压二极管的两端，十个所述信号调理模块的输出端分别对应连接所述多路复用器的十路模拟信号输入端，所述多路复用器的I/O端连接所述通信芯片，所述多路复用器的四个地址输出端分别对应连接所述磁耦隔离芯片的四个输入端，所述磁耦隔离芯片的四个输出端分别连接所述MCU处理器的输入端。
2.根据权利要求1所述的高抗电磁干扰模拟信号输入电路，其特征在于，所述MCU微处理器采用的芯片是STM32F107，所述MCU微处理器还连接有存储模块和电源模块。
3.根据权利要求2所述的高抗电磁干扰模拟信号输入电路，其特征在于，所述电源模块采用的是基准电源ADR420。
4.根据权利要求1所述的高抗电磁干扰模拟信号输入电路，其特征在于，所述通信芯片采用的型号是ISO124U。
5.根据权利要求1所述的高抗电磁干扰模拟信号输入电路，其特征在于，所述多路复用器采用的型号为ADG1406。
6.根据权利要求4或5所述的高抗电磁干扰模拟信号输入电路，其特征在于，所述多路复用器与所述通信芯片之间还串联一个放大器，所述放大器的同相输入端连接所述多路复用器的I/O端，所述放大器的输出端连接所述通信芯片的信号输入端。
7.根据权利要求1所述的高抗电磁干扰模拟信号输入电路，其特征在于，所述磁耦隔离芯片采用的型号是ADUM2400。
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