[实用新型]电调防打火电路、电子调速器及高压大电流的功能模块

说明书

技术领域

本实用新型涉及电调，尤其涉及一种电调防打火电路、电子调速器及高压大电流的功能模块。

背景技术

电调打火也就是我们常说的拉弧，主要就是电调在接入电源的瞬间，电源给大给电容充电的时候插头都会引起火花，不会触电，但是长时间的打火会导致金插发黑，接触电阻变大，发热增加，可能空中引起断电、接触不良等问题。

不接电池时电容是没电的，电容的内阻非常小。电调功率越大,为了稳定输出电流的同时不对电池作高脉冲式放电，用的电容容量越高，通常上千、百微法的，因此与电池连接瞬间，电容充电电流瞬间变大，但接邂面积总是由小变全的，接入的动作根本不可能超过电流，这时就会造成接合电弧产生冲击波。而且功率越大的电调，动作越慢，老化的接口也越响。

为了解决上述问题，市场上出现了一些采用防打火插头的高端品牌的电调，其原理是先接通一个阻值很大的电阻，然后再对电容充电，然后才接通电路，这样就没有消除了电容充电时的火花。该电调虽然解决了打火问题，但是防打火插头太贵，加大了生产企业的成本，影响消费者消费。

实用新型内容

为了解决上述技术问题，本实用新型的目的在于提供一种电调防打火电路、电子调速器及高压大电流的功能模块，主要应用于高压输入(输入电压能到达100V)，大电流输出(输出电流能达到40A)的功能模块，本实用新型通过器件的合理设计，不但能防止电调打火现象，而且所选器件价格便宜，有利于产品推广。

根据本实用新型的一个方面，提供了一种电调防打火电路，包括MOS管保护电路、MOS管开启电路、去打火充电电阻、主供电MOS管，其中，MOS管保护电路、主供电MOS管、去打火充电电阻均与电源输入端相连，MOS管保护电路分别连接MOS管开启电路、主供电MOS管，MOS管开启电路与电源输出端相连。

进一步的，MOS管保护电路包括电阻R1、二极管D2，电阻R1的一端、电阻R9的一端、二极管D2的输出端均与电源输入端连接。

进一步的，主供电MOS管包括若干P-MOS管电路，电阻R1的另一端、二极管D2的输入端均分别与若干P-MOS管电路、电阻R2的一端连接，P-MOS管电路包括P-MOS管、电阻，该电阻连接P-MOS管的栅极,P-MOS管的源极连接电源输入端。

进一步的，去打火充电电阻包括电阻R9，电阻R9的另一端分别连接P-MOS管的漏极、电源输出端、电容C3的一端,电容C3的另一端接地。

进一步的，MOS管开启电路包括电阻R10、三极管Q1，电阻R2的另一端连接三极管Q1的集电极，三极管Q1的发射极接地，电源输出端连接电阻R8的一端，电阻R8的另一端通过电阻R10接地。

P-MOS管电路与电阻R9并联，接入电源输入端VCCIN，且并联后与电容C3串联，由于VCCIN通过电阻R9(电阻R9的阻值较小，如10欧姆)给大电容C3充电，由于这个电阻R9的存在，使得充电电流变小，充电时间加长，这样就不会产生打火(拉弧)现象，电容C3继续被充电，当电容C3的电压上升到一定的阶段后，即当电源输出端VOUT到达一定值，使得三极管Q1导通，Q1的发射极下拉到地，此时P-MOS管的源极经电源输出端VCCIN通过电阻R1,二极管D1充电，当栅极电压上升到一定值后，P-MOS管导通。

由于P-MOS导通电阻远远小于电阻R9，故P-MOS导通电阻相对于电阻R9几乎是短路的，因此，电调在工作时，所需要的大电流则直接由P-MOS管提供，而不是经电阻R9来供给的，与现在市场上高端品牌的电调原理不同，无需投入大量费用用于大电阻的购买，而P-MOS管的价位远远低于所述大电阻的价位，因此有利于产品推广。

进一步的，电阻R8的另一端连接电阻R7的一端，电阻R7的另一端分别与三极管Q1的基极、电容C1连接，电容C1接地，电阻R1的另一端、二极管D2的输入端经电容C2接地。

电阻R1阻值为95-105KΩ，R2阻值为460-480KΩ，电阻R7为5-16KΩ，电阻R8为95-107KΩ，电阻R9为5-16Ω，电阻R10为2-4KΩ，P-MOS管电路中的电阻值为25-38Ω。

进一步的，若干P-MOS管电路并联,进行分流,确保低电流输出。

优选的，所述P-MOS管电路为1-6个。综合考虑投入成本及电路稳定性的优选方案，并联P-MOS管电路数目为1-6。

优选的，所述P-MOS管电路为3-5个。

优选的，所述P-MOS管电路为4个。